| 1 |
1
투명 기판 및 상기 투명 기판에 임베디드된 금속 나노와이어 또는 금속 나노메쉬를 포함하는 금속 나노 구조체를 포함하는 제1전극층; 및전도성 2차원 물질을 포함하는 제2전극층을 포함하고,상기 금속 나노 구조체의 일부가 상기 제2전극층에 접촉하는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속 나노 구조체의 금속은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 티타늄(Ti), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 투명 기판은 고분자, 산화물 또는 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 하이브리드 투명전극
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 고분자는 폴리이미드, 폴리디메틸실로세인, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, UV 경화 수지, 열 경화 수지 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 UV 경화 수지는 에폭시아크릴레이트계 수지, 폴리에스테르아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리부타디엔아크릴레이트계, 실리콘아크릴레이트계 수지, 알킬아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 열 경화 수지는 에폭시아크릴레이트계 수지, 폴리에스테르아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리부타디엔아크릴레이트계, 실리콘아크릴레이트계 수지, 알킬아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 산화물은 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화하프늄 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 7 |
7
제3항에 있어서,상기 질화물은 질화실리콘, 질화알루미늄, 질화하프늄 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 전도성 2차원 물질은 그래핀, C60, MoS2, GaS, GeS, TaS2, WS2, HfS2, CdS, SnS2, SnSe2, Bi2Se3, BiTe2Se, ZnSe, MoSe2, CdTe, PbTe 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 그래핀은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 그래핀이거나 그래핀 플레이크(graphene flake)인 것인 하이브리드 투명전극
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 금속 나노 구조체는 상기 제1전극층에서 상기 제2전극층과 맞닿는 방향쪽에 분포하는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 11 |
11
제1항 또는 제10항에 있어서,상기 투명전극은 상기 금속 나노 구조체 표면적의 20 내지 99%가 제1전극층에 임베디드되고, 표면적의 1 내지 80%가 상기 제2전극층에 접촉되는 것인 하이브리드 투명전극
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 투명전극은 일함수가 4 내지 6 eV인 것인 하이브리드 투명전극
|
| 13 |
13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 의한 하이브리드 투명전극을 포함하는 디스플레이 소자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 디스플레이 소자는 전류의 스프레딩이 상기 디스플레이 소자 전체 면적의 60 내지 100%로 형성되는 것인 디스플레이 소자
|
