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고속 에피택셜 리프트오프와 III-V족 직접 성장용 템플릿을 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자(METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING HIGH SPEED EPITAXIAL LIFT-OFF AND TEMPLATE FOR III-V DIRECT GROWTH AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016019661
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자의 제조 방법은, 제1 기판 및 상기 제1 기판상에 위치하는 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 포함하는 템플릿(template)을 제공하는 단계; 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층상에 에피택시(epitaxy) 성장 방식으로 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층상에 에피택시 성장 방식으로 제2 III-V족 화합물층을 형성하는 단계; 상기 제2 III-V족 화합물층상에 실리콘으로 이루어진 제2 기판을 접합하는 단계; 및 상기 희생층을 제거함으로써 상기 제2 III-V족 화합물층 및 상기 제2 기판을 상기 템플릿으로부터 분리하는 단계를 포함한다. 템플릿의 패턴된 III-V족 화합물층으로부터 또 다른 III-V족 화합물층이 직접 성장 방식으로 제조되므로, III-V족 화합물과 다른 기판 사이의 결함이 제거되며, 대면적의 반도체 소자를 직접 성장 방식으로 제조할 수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의 제한이나 비용 증가 등의 문제점을 줄일 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01)
출원번호/일자 1020150069836 (2015.05.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0136103 (2016.11.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 대한민국 서울특별시 성북구
2 금대명 대한민국 서울특별시 성북구
3 박민수 대한민국 서울특별시 성북구
4 최원준 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0479546-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0072765-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0545577-06
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0934953-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0934952-92
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0022799-92
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0125424-88
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.02.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0125423-32
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0159306-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 및 상기 제1 기판상에 위치하는 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 포함하는 템플릿을 제공하는 단계; 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층상에, 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층의 III-V족 화합물 원자를 시드로 한 에피택시 성장 방식으로, 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층과 동일한 패턴을 가진 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층상에, 상기 희생층의 III-V족 화합물 원자를 시드로 한 에피택시 성장 방식으로, 상기 희생층과 동일한 패턴을 가진 제2 III-V족 화합물층을 형성하는 단계; 상기 제2 III-V족 화합물층상에 실리콘으로 이루어진 제2 기판을 접합하는 단계; 및 습식 식각에 의해 상기 희생층을 제거함으로써 상기 제2 III-V족 화합물층 및 상기 제2 기판을 상기 템플릿으로부터 분리하는 단계를 포함하되,상기 희생층은 알루미늄이 포함된 III-V족 화합물로 이루어지는 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제2 기판을 접합하는 단계는, 상기 제2 III-V족 화합물층과 상기 제2 기판을 직접 접합하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제2 기판을 접합하는 단계는,상기 제2 III-V족 화합물층 또는 상기 제2 기판 중 하나 이상에 접합층을 형성하는 단계; 및 상기 접합층을 이용하여 상기 제2 III-V족 화합물층과 상기 제2 기판을 접합하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 접합층은 금속 또는 산화물을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제2 III-V족 화합물층 및 상기 제2 기판을 상기 템플릿으로부터 분리하는 단계는, 불화수소(HF)를 포함하는 친수성 식각 용액을 이용하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 식각 용액은 이소프로필 알코올 및 아세톤 중 하나 이상을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 템플릿을 제공하는 단계는, III-V족 화합물을 포함하는 지지 기판상에 희생층을 형성하는 단계;상기 지지 기판상의 희생층상에, 에피택시 성장 방식으로 III-V족 화합물을 형성하는 단계; 상기 지지 기판상의 희생층 및 III-V족 화합물을 패터닝함으로써, 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 형성하는 단계; 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 상기 제1 기판상에 전사하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 형성하는 단계는, 인산(H3PO4)을 포함하는 식각 용액을 이용하여 상기 지지 기판상의 희생층 및 III-V족 화합물을 식각하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제1 기판상에 전사하는 단계는, 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층이 상기 제1 기판과 접촉하도록 상기 지지 기판, 상기 지지 기판상의 희생층 및 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 상기 제1 기판에 접합하는 단계; 및상기 접합하는 단계 후 상기 지지 기판상의 희생층을 제거함으로써 상기 지지 기판을 상기 제1 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10014216 US 미국 FAMILY
2 US20160343810 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10014216 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016343810 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.