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도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재에 있어서,MQ로 이루어진 열전소재에 M'Q'로 이루어진 도핑재가 첨가되는 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 M'Q'은,상기 MQ와 상기 M'Q'의 격자상태 및 에너지 베리어 값을 비교하여 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 2항에 있어서,상기 MQ와 상기 M'Q'의 격자상태는,격자상수(Lattice constant) 및 격자구조(Lattice structure) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 비교하는 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 3항에 있어서,상기 M'Q'은,상기 MQ의 격자상수 값에 대해 -10% 내지 10%의 격자상수 값을 갖도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 3항에 있어서,상기 M'Q'는,상기 MQ의 격자구조와 동일한 격자구조를 가지는 것이 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 5항에 있어서,상기 MQ의 격자구조는,MQ, M2Q, M2Q3, MQ2 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 MQ의 격자구조는,M'Q', M'2Q', M'2Q'3, M'Q'2 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 2항에 있어서,상기 MQ와 상기 M'Q'의 에너지 베리어 값은,전도대(Conduction band)는 0
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제 2항에 있어서,상기 MQ와 상기 M'Q'의 에너지 베리어 값은,전도대(Conduction band)는 0
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제 1항에 있어서,상기 M 및 상기 M'은 동일한 금속소재인 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 Q 및 상기 Q'은 동일한 소재인 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 M'Q'는 상기 MQ 100중량부에 대해 1 내지 25중량부 혼합된 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 M'Q'는 열전특성을 가지며, 상기 MQ 100중량부에 대해 1 내지 100중량부 혼합된 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 MQ는 또는 상기 M'Q'는,BaS, BaSe, BaTe, CaS, CaSe, CaTe, zb-CdS, zb-CdSe, zb-CdTe, CeS, CeSe, CeTe, EuS, EuSe, EuTe, GeS, GeSe, GeTe, zb-HgS, zb--HgSe, zb-HgTe, LaS, LaSe, LaTe, MgS, MgSe, MgTe, PbS, PbSe, PbTe, SnS, SnSe, SnTe, SrS, SrSe, SrTe, zb-ZnS, zb-ZnSe, zb-ZnTe, m-Ag2Te, c-Ag2Te, Na2Te, h-Bi2Se3, h-Sb2Se3, h-Bi2Te2Se, h-Bi2Te3, h-Sb2Te3, wz-ZnO, graphene, ML H-MoS2 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 도핑재를 첨가하여 열전성능이 향상된 열전소재
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