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기재가 로딩되는 기재 로딩부; 상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번하며 이동시키는 기재 수송부; 상기 기재 수송부의 하단에 구비되어 상기 기재를 가열하는 기재 가열부; 및 상기 기재에 금속산화물 박막을 형성하는 금속산화물 박막 증착부를 포함하며, 상기 금속산화물 박막 증착부는 소스가스의 성분마다 각각 독립된 복수의 소스 플라즈마 모듈 및 복수의 반응 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 반응 플라즈마 모듈은 각각 소스가스 및 반응가스를 포함하고, 상기 소스가스 및 상기 반응가스를 플라즈마 상태로 상기 기재 상에 주입하는 것이며,상기 기재 수송부가 상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 반응 플라즈마 모듈을 교번하며 이동하여 상기 기재 상에 금속산화물 박막이 증착되는 것인, 금속산화물 박막의 제조 장치를 이용하여,상기 기재를 상기 다성분의 소스가스 및 상기 반응가스를 이용하여 플라즈마 처리하는 것; 및,상기 다성분의 소스가스 및 상기 반응가스가 상기 기재의 표면에서 반응하여 상기 기재 상에 금속산화물 박막을 형성하는 것을 포함하며, 상기 다성분의 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 수행되는 것이고,상기 다성분의 소스가스는 상기 소스가스의 성분에 따라 각각 상기 독립된 소스 플라즈마 모듈에서 플라즈마 처리가 수행되는 것이고,상기 기재가 상기 독립된 플라즈마 모듈 사이를 교번하여 이동하면서 상기 다성분의 소스가스에 의해 상기 금속산화물 박막이 형성되는 것이고,상기 다성분의 소스가스는 Ga, In, 및 Zn을 포함하는 3 성분의 금속을 함유하는 전구체를 포함하는 것이고,상기 기재를 플라즈마 처리하는 것은, 상기 다성분의 소스가스의 성분에 따른 각각의 상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 모듈에서 상기 플라즈마 처리가 동시에 또는 교번하여 1 회 이상 반복되어 수행되는 것이고,상기 다성분의 소스가스는 각각의 성분에 따른 상기 소스 플라즈마 모듈에서 각각의 조성비를 제어하는 것이며, 및상기 다성분의 소스가스는 불활성 기체를 추가 포함하는 것이고,상기 금속산화물 박막의 두께는 5 nm 내지 1,000 nm인 것인,금속산화물 박막의 증착 방법
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