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제1 금속을 포함하는 코어와, 상기 코어를 둘러싸며 상기 제1 금속과 다른 제2 금속을 포함하는 쉘을 갖는 나노입자를 준비하는 단계;상기 쉘을 부분적으로 황화하여, 상기 제2 금속을 포함하는 내층 및 상기 제2 금속의 황화물을 포함하는 외층을 포함하는 다층 쉘을 형성하는 단계; 및이온 교환을 통해 상기 외층을 반도체층으로 전환하고, 상기 내층의 제2 금속을 제거하여, 상기 코어와 상기 코어를 둘러싸는 반도체층 사이에 배치되는 보이드층을 형성하는 단계를 포함하는 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 금이고, 상기 제2 금속은 은이고, 상기 제2 금속의 황화물은 황화은인 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 반도체층은 황화카드뮴을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 쉘을 부분적으로 황화하는 단계는, 상기 제2 금속 쉘을 갖는 나노입자에 소듐 설파이드(Na2S) 또는 소듐 폴리설파이드를 제공하는 것을 특징으로 하는 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 황화카드뮴을 포함하는 반도체층을 형성하기 위하여, 카드뮴 아세테이트, 카드뮴 아세틸 아세토네이트, 요오드화 카드뮴, 브롬화 카드뮴, 염화 카드뮴, 불화 카드뮴, 카드뮴 카보네이트, 질산 카드뮴, 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 퍼클로레이트, 카드뮴 포스파이드, 황산 카드뮴, 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 카드뮴 전구체를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 외층을 반도체층으로 전환하는 단계는, 메탄올 및 포스핀의 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 포스핀은 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드 및 트리옥틸포스핀으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자의 제조방법
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금을 포함하는 코어;상기 코어를 둘러싸고, 황화카드뮴을 포함하는 쉘; 및상기 코어와 쉘 사이에 배치되는 보이드층을 포함하는, 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자
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제8항에 있어서, 상기 나노입자는 로드(rod), 큐브 또는 팔면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 요크-쉘 구조를 갖는 금속-반도체 하이브리드 나노입자
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