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서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하고 p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 활성층을 포함하고,상기 애노드 또는 상기 캐소드와 상기 활성층의 에너지 장벽은 1
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제1항에서,상기 애노드 또는 상기 캐소드와 상기 활성층의 에너지 장벽은 상기 애노드의 일 함수와 상기 p형 반도체의 LUMO 에너지 준위 사이의 에너지 차이 또는 상기 캐소드의 일 함수와 상기 n형 반도체의 HOMO 에너지 준위 사이의 에너지 차이인 유기광검출기
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제1항에서,-3V의 역바이어스에서 10-10 A/cm2 이하의 어둠전류밀도(dark current density)를 나타내는 유기광검출기
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제1항에서,상기 애노드 또는 상기 캐소드와 상기 활성층의 에너지 장벽은 1
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5
제4항에서,-3V의 역바이어스에서 10-12 A/cm2 이하의 어둠전류밀도를 나타내는 유기광검출기
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6
제1항에서,상기 활성층은상기 애노드에 가깝게 위치하고 p형 반도체를 포함하는 p형 층, 그리고상기 캐소드에 가깝게 위치하고 n형 반도체를 포함하는 n형 층을 포함하는 유기광검출기
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7
제1항에서,상기 애노드와 상기 활성층 사이 또는 상기 캐소드와 상기 활성층 사이에 전하차단층을 포함하지 않는 유기광검출기
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8
제1항에서,상기 p형 반도체와 상기 n형 반도체 중 적어도 하나는 가시광선 파장 영역 중 일부를 선택적으로 흡수하는 유기광검출기
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9
제8항에서,상기 p형 반도체와 상기 n형 반도체 중 적어도 하나는 녹색 파장 영역을 선택적으로 흡수하는 유기광검출기
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10
제8항에서,상기 애노드가 ITO이고 상기 n형 반도체의 LUMO 에너지 준위가 -4
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11
제10항에서,상기 애노드와 상기 활성층 사이에 전자차단층이 개재되어 있지 않은 유기광검출기
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12
제8항에서,상기 애노드가 ITO이고 상기 n형 반도체가 C60 일 때 상기 p형 반도체는 -5
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13
제12항에서,상기 애노드와 상기 활성층 사이에 전자차단층이 개재되어 있지 않은 유기광검출기
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14
제1항에서,상기 애노드와 상기 캐소드는 투광 전극인 유기광검출기
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15
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 유기광검출기를 포함하는 이미지센서
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제15항에 따른 이미지센서를 포함하는 전자 장치
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