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기판 위에 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 유리 기판 중 하나임을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전이금속은 Al, Cu, Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 하나 이상임을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 두께가 1000Å 내지 3000Å이고, 상기 금속 박막은 두께가 1㎚ 내지 20㎚가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합가스는 수소 가스와 아르곤 가스가 혼합됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 수소가스와 아르곤 가스의 함량비는 Ar;H가 90wt%;10wt%가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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7
제1항에 있어서, 상기 금속층 형성단계에서의 금속은 백금, 팔라듐, 은, 구리 중 하나가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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8
제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 수소주입단계는 전기로를 이용하여 350℃이하의 온도에서 진행됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
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기판과;상기 기판 상면에 형성되고 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0
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제9항에 있어서, 상기 전이금속은 Al, Cu, Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 하나 이상임을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
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11
제9항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 두께가 1000Å 내지 3000Å이고, 상기 금속 박막은 두께가 1㎚ 내지 20㎚가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
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12
제9항에 있어서, 상기 금속 박막은 백금, 팔라듐, 은, 구리 중 하나의 촉매금속으로 형성됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
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13
제9항에 있어서, 상기 혼합가스는 수소 가스와 아르곤 가스가 혼합됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
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14
제13항에 있어서, 상기 수소가스와 아르곤 가스의 함량비는 Ar;H가 90wt%;10wt%가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
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