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원통형 튜브;광이 입사하는 상기 튜브의 입구 쪽에 배치되고, 중심 영역으로 상기 광의 투과가 차단된 제1 렌즈; 및상기 광이 출사하는 상기 튜브의 출구 쪽에 배치된 제2 렌즈;를 포함하는 튜브형 렌즈
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제1 항에 있어서,상기 제1 렌즈는 상기 중심 영역에 광 차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 튜브형 렌즈
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제2 항에 있어서,상기 광 차단부는, 상기 제1 렌즈의 상기 중심 영역에 형성된 홈(groove) 또는 관통 홀을 매립한 불투명 물질층, 또는 상기 중심 영역의 상기 제1 렌즈의 표면에 부착된 불투명 테이프로 형성된 것을 특징으로 하는 튜브형 렌즈
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제1 항에 있어서,상기 튜브의 입구와 상기 제1 렌즈 사이에 배치되어, 상기 중심 영역으로 상기 광의 진행을 차단하는 광 차단 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 튜브형 렌즈
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원통형 튜브, 상기 튜브의 입구 쪽에 배치되고 중심 영역으로 광의 투과가 차단된 제1 렌즈, 및 상기 튜브의 출구 쪽에 배치된 제2 렌즈를 구비한 튜브형 렌즈; 및 상기 튜브의 출구 쪽으로 상기 튜브형 렌즈에 결합하는 분광기;를 포함하는 발광 분광분석(Optical Emission Spectroscopy: OES) 장치
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제5 항에 있어서,상기 제1 렌즈가 상기 중심 영역에 광 차단부를 포함하거나, 또는상기 튜브형 렌즈가 상기 튜브의 입구와 상기 제1 렌즈 사이에 배치된 광 차단 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 OES 장치
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제5 항에 있어서,상기 분광기는 광이 입사되는 입사 개구, 상기 광을 파장 별로 분해하는 회절 격자, 및 파장 별로 광을 검출하는 어레이 검출기를 포함하고,상기 제2 렌즈의 초점이 상기 입사 개구에 위치하도록 상기 튜브형 렌즈와 상기 분광기가 결합하는 것을 특징으로 하는 OES 장치
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제5 항에 있어서,상기 튜브형 렌즈와 상기 분광기 사이에 광섬유(Optical fiber)를 포함하고,상기 제2 렌즈의 초점이 상기 광섬유의 입사면에 위치하도록 상기 튜브형 렌즈와 상기 광섬유가 결합하는 것을 특징으로 하는 OES 장치
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제5 항에 있어서,상기 제1 렌즈의 초점은 다른 초점을 갖는 렌즈로의 교체를 통해 변경되고,상기 제2 렌즈의 초점은 고정되며,상기 튜브형 렌즈는 챔버의 뷰-포트 부분에 비침투식(non-invasive)으로 결합하는 것을 특징으로 하는 OES 장치
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제9 항에 있어서,상기 튜브형 렌즈의 입구 면이 상기 뷰-포트의 외면에 대하여 소정 범위의 경사를 가지고 결합하는 것을 특징으로 하는 OES 장치
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플라즈마 공정을 위한 챔버;상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 전원장치;원통형 튜브와 상기 튜브의 입구 쪽의 제1 렌즈와 출구 쪽의 제2 렌즈를 구비하고 상기 제1 렌즈의 중심 영역으로의 광의 투과가 차단된 튜브형 렌즈, 및 상기 튜브의 출구 쪽으로 상기 튜브형 렌즈에 결합한 분광기를 포함하고, 상기 챔버의 뷰-포트에 비침투식으로 결합한 OES 장치; 및상기 OES 장치에 전기적으로 연결된 분석 장치;를 포함하는 플라즈마 모니터링 시스템
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제11 항에 있어서,상기 제1 렌즈는, 상기 제1 렌즈의 상기 중심 영역에 매립된 불투명 물질층, 또는 상기 중심 영역의 상기 제1 렌즈의 표면에 부착된 불투명 테이프로 형성된 광 차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 시스템
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제11 항에 있어서,상기 튜브형 렌즈는, 상기 튜브의 입구와 상기 제1 렌즈 사이에 배치되고, 상기 중심 영역으로 상기 광의 진행을 차단하는 광 차단 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 시스템
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제11 항에 있어서,상기 OES 장치는 상기 튜브형 렌즈와 상기 분광기 사이에 광섬유를 포함하며,상기 제1 렌즈의 초점은 다른 초점을 갖는 렌즈로의 교체를 통해 변경되고,상기 제2 렌즈의 초점은 고정되되, 상기 광섬유의 입사면에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 시스템
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제11 항에 있어서,상기 튜브형 렌즈의 입구 면이 상기 뷰-포트의 외면에 대하여 소정 범위의 경사를 가지고 결합한 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 시스템
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플라즈마 공정을 위한 챔버의 뷰-포트에 OES 장치를 비침투식으로 결합시키는 단계;챔버의 내부에 웨이퍼를 배치하는 단계;상기 챔버에 공정 가스를 주입하고 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 OES 장치를 통해 상기 챔버 내부에서 발생한 플라즈마 광을 검출하는 단계; 및상기 플라즈마 광의 인텐서티에 기초하여 상기 챔버 내의 플라즈마 상태를 분석하는 단계;를 포함하고,상기 OES 장치는 원통형 튜브와 상기 튜브의 입구 쪽의 제1 렌즈와 출구 쪽의 제2 렌즈를 구비하고 상기 제1 렌즈의 중심 영역으로의 광의 투과가 차단된 튜브형 렌즈, 및 상기 튜브의 출구 쪽으로 상기 튜브형 렌즈에 결합한 분광기를 포함하는, 반도체 소자 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 제1 렌즈가 상기 중심 영역에 광 차단부를 포함하거나, 또는상기 튜브형 렌즈가 상기 튜브의 입구와 상기 제1 렌즈 사이에 배치된 광 차단 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 OES 장치는 상기 튜브형 렌즈와 상기 분광기 사이에 광섬유를 포함하고,상기 제1 렌즈의 초점은 다른 초점을 갖는 렌즈로의 교체를 통해 변경되고,상기 제2 렌즈의 초점은 고정되며,상기 비침투식으로 결합시키는 단계에서,상기 제2 렌즈의 초점이 상기 광섬유의 입사면에 위치하도록 상기 튜브형 렌즈를 상기 광섬유에 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 비침투식으로 결합시키는 단계에서,상기 튜브형 렌즈의 입구 면이 상기 뷰-포트의 외면에 대하여 소정 범위의 경사를 가지도록 결합시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 플라즈마 상태를 분석하는 단계에서 상기 플라즈마의 상태가 허용 범위를 내인 경우에,상기 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정을 수행하는 단계;상기 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 개별화하는 단계; 및상기 반도체 칩을 패키징하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조방법
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