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(a) 란타늄 질산염, 지르코늄 질산염 및 알루미늄 질산염을 포함하는 금속 질산염 용액과, 착화제와, pH 조절제가 혼합된 혼합 용액을 공침 반응시켜 고체 전해질 전구체 슬러리를 제조하는 단계;(b) 상기 고체 전해질 전구체 슬러리를 세척하고 건조하여 고체 전해질 전구체를 제조하는 단계;(c) 상기 고체 전해질 전구체를 리튬 소스와 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및(d) 상기 혼합물을 하소(calcination)하여 알루미늄이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(lithium lanthanum zirconium oxide, LLZO) 고체 전해질을 제조하는 단계;를 포함하고,단계 (a)가 쿠에트 테일러 와류 반응기에서 수행되는 것인 고체 전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 LLZO 고체 전해질은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제2항에 있어서,알루미늄이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(lithium lanthanum zirconium oxide, LLZO) 고체 전해질은 리튬과 알루미늄의 중량비가 100:0
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제1항에 있어서,단계 (a)에서 상기 공침 반응이 테일러 와류 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 테일러 와류 상태의 테일러 수가 550 내지 1,500 인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 테일러 와류 상태의 테일러 수가 630 내지 800 인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 란타늄 질산염이 La(NO3)3·6H2O이고, 상기 지르코늄 질산염이 ZrO(NO3)2·2H2O이고, 상기 알루미늄 질산염이 Al(NO3)3·9H2O인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 질산염 용액에 포함되는 La:Zr:Al의 몰비율이 a:b:c이고, a가 2 내지 4, b가 1 내지 3, c가 0
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제9항에 있어서,상기 금속 질산염 용액에 포함되는 La:Zr:Al의 몰비율이 a:b:c이고, a가 2 내지 4, b가 1 내지 3, c가 0
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제1항에 있어서,단계 (c)의 리튬 소스의 리튬 함량은 단계 (d)의 생성물인 고체전해질의 리튬 함량 100중량부에 대하여 101 내지 112 중량부인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제11항에 있어서,단계 (c)의 리튬 소스의 리튬 함량은 단계 (d)의 생성물인 고체전해질의 리튬 함량 100중량부에 대하여 101 내지 108 중량부인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (d)의 하소가 600 내지 1,000℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 하소가 1 내지 12시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 하소가 1 내지 9시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (d) 이후에, (e) 상기 알루미늄이 도핑된 LLZO 고체 전해질을 소결(sintering)하여 고체전해질 소결체를 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 소결이 900 내지 1,300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고체전해질이 큐빅(cubic)구조 및 테트라고날(tetragonal)구조 중에서 선택된 1종 이상의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 고체전해질이 단일상의 큐빅 구조인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
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제1항의 제조방법을 포함하는 리튬이차전지의 제조방법
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