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발광 소자 및 그 제조 방법(Light emitting device and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017006330
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자가 제공된다. 본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성된 제2 도전형의 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 마이크로 입방체로 이루어진 광추출층을 포함하여 이루어질 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2015.10.31) H01L 33/14 (2015.10.31) H01L 33/00 (2015.10.31)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020150131923 (2015.09.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0033977 (2017.03.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김택곤 대한민국 경기 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0908159-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0630605-12
3 보정요구서
Request for Amendment
2016.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0470271-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0938033-98
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0205628-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0303277-93
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0303258-25
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0593358-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0933146-75
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0933147-10
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0737479-67
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1290547-44
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1290546-09
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0364427-90
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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기판 상에 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체층 상에 마이크로 입방체로 이루어진 광추출층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 광추출층을 형성하는 단계는 솔벤트를 환류응축하여 상기 마이크로 입방체를 제조하는 단계를 더 포함하되,상기 마이크로 입방체를 제조하는 단계는, 상기 솔벤트를 환류응축하여 아연 주석 산화물을 결정화하는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서, 상기 광추출층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 솔벤트는 주석을 포함하는 에탄올, 아연을 포함하는 물, 수산화나트륨을 포함하는, 발광 소자의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 주석과 상기 아연의 몰 비는 1:1인 발광 소자의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서, 상기 수산화나트륨은 주석 또는 아연 대비 6 초과 10 미만의 몰 비를 가지는 발광 소자의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 환류응축은 80도 초과 100도 이하에서 6시간 내지 9시간 수행되는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 / 신진연구지원사업 / 신진연구 고효율 수직형 발광 다이오드 개발을 위한 주기적 극성반전 나노하이브리드 구조 응용에 관한 연구