| 요약 |
본 발명은 액티브 다이오드 회로에 관한 것으로서, 애노드 단자와, 캐소드 단자와, 소스가 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되는 제1 PMOS 트랜지스터 및 제2 PMOS 트랜지스터와, 드레인은 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고 게이트는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되며 소스는 접지 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터와, 드레인은 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고 게이트는 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되며 소스는 접지 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터와, 드레인은 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되고 소스는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인이 연결되는 제1노드에 연결되는 제3 NMOS 트랜지스터와, 소스는 상기 캐소드 단자에 연결되고 드레인은 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인이 연결되는 제2노드에 연결되는 제4 NMOS 트랜지스터를 포함하는 액티브 다이오드 제어부; 및 소스는 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되고 드레인은 상기 캐소드 단자에 전기적으로 연결되는 스위칭부를 포함하며, 상기 액티브 다이오드 제어부는, 상기 애노드 단자에 인가되는 제1전압이 상기 캐소드 단자에 인가되는 제2전압보다 클 경우 상기 애노드 단자로부터 상기 캐소드 단자로 전류가 흐르도록 상기 스위칭부를 온 하는 것을 특징으로 한다.이에 따라, 복수 개의 MOSFET 트랜지스터를 다이오드 커넥티드(diode connected) 형태로 설계한 전류 미러형 감지 증폭기를 이용하여 임계 전압 이하의 저전압에서 동작하는 액티브 다이오드 회로를 2-스택(2-STACK)의 간단한 구조로 설계함으로써, 별도의 외부전원 없이도 저전압 에너지 하베스트를 위한 AC/DC 정류 회로를 구성할 수 있는 효과가 있다.
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