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실리콘 모재를 준비하는 단계; 스텔스 레이저를 사용하여 상기 실리콘 모재의 표면으로부터 소정 깊이 아래의 내부에 열화부를 형성하는 단계; 상기 실리콘 모재 표면에 임계 스트레스층을 형성하는 단계; 및 상기 임계 스트레스층에 존재하는 스트레스에 의해 상기 실리콘의 표면이 상기 실리콘 모재로부터 자발적으로 박리되는 단계를 포함하며,상기 박리 단계에서 상기 열화부를 따라서 박리가 진행되며, 임계 스트레스층을 형성하는 단계에서, 상기 임계 스트레스층은 습식 전해증착으로 형성되어 전해증착 응력이 잔류하는 전해증착층이며,상기 스트레스는 상기 전해증착에 의해 상기 임계 스트레스층 내에 형성되는 스트레스이며, 상기 습식 전해증착 공정에서 도금욕에 첨가물을 첨가하거나 전류밀도를 조절하여 상기 전해증착층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하며,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 상기 스텔스 레이저가 집광되는 깊이를 제어하여 상기 열화부가 형성되는 깊이를 제어함으로써 박리 두께를 조절하며, 상기 열화부가 상기 실리콘 모재의 에지에서 소정 간격 이내에 위치하도록 레이저를 조사하는것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 상기 열화부가 상기 실리콘 모재의 에지를 따라서 나란하게 위치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 레이저를 에지에 평행한 선을 따라 이동하면서 조사하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 상기 실리콘 모재가 직육면체이고 실리콘 모재 표면의 4개 에지를 따라서 4개의 직선형 열화부를 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 4개 에지 각각에 평행한 직선을 따라 레이저를 이동하면서 조사하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 깊이가 동일하고 상기 실리콘 모재의 에지와의 간격이 다른 다수의 열화부를 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 복수의 열화부 각각이 상기 실리콘 모재의 에지에 평행한 선형태가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 상기 실리콘 모재의 에지에 평행한 첫 번째 선을 따라 레이저를 이동하면서 조사한 뒤에, 상기 에지에 평행하고 간격이 다른 두 번째 선을 따라 레이저를 이동하면서 조사하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열화부를 형성하는 단계에서, 상기 실리콘 모재의 에지를 따라서 지그재그로 이동하면서 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해증착층이 Ni도금층인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 임계 스트레스층을 형성하는 단계에서, 상기 전해증착층을 습식 전해증착하기에 앞서 상기 실리콘 모재의 표면에 접착성을 향상시키기 위한 시드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 17에 있어서, 상기 시드층이 무전해 도금 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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