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기판;상기 기판상에 배치되고, 상호 이격되면서 방사 형상을 갖는 복수 개의 메타 원자와 상기 복수 개의 메타 원자 각각과 접하는 그래핀층을 포함하는 활성층; 및 상기 기판상에 배치되며, 상기 활성층을 덮는 유전체층;을 포함하는 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 복수 개의 메타 원자 중 적어도 하나는, 일부 영역을 공유하는 제1 및 제2 서브 메타 원자를 포함하는 그래핀 소자
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제 2항에 있어서,상기 제1 및 제2 서브 메타 원자 중 적어도 하나는 막대기 형상인 그래핀 소자
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제 2항에 있어서,상기 제1 및 제2 서브 메타 원자 중 적어도 하나는, 상기 일부 영역을 기준으로 대칭되는 그래핀 소자
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제 2항에 있어서,상기 제1 및 제2 서브 메타 원자는 상기 일부 영역을 포함하는 축을 기준으로 서로 대칭인 그래핀 소자
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제 2항에 있어서,상기 제1 및 제2 서브 메타 원자 중 적어도 하나의 길이는 중적외선 대역의 파장보다 작은 그래핀 소자
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제 6항에 있어서,상기 제1 및 제2 서브 메타 원자 중 적어도 하나의 길이는 1㎛이상 10㎛이하인 그래핀 소자
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제 2항에 있어서,상기 제1 서브 메타 원자의 두께는,상기 제1 서브 메타 원자의 길이보다 작은 그래핀 소자
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제 8항에 있어서,상기 메타 원자의 두께는, 50nm 이상 300nm이하인 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 복수 개의 메타 원자는 2차원의 격자 구조 타입으로 배열된 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 복수 개의 메타 원자 중 적어도 하나는, 금속인 그래핀 소자
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제 11항에 있어서,상기 금속은,금인 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 유전체층은,상기 그래핀층보다 유전율이 큰 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 유전체층은, 이온겔을 포함하는 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 복수 개의 메타 원자 각각은 상기 기판상에 접하게 배치되고,상기 그래핀층은 상기 복수 개의 메타 원자를 덮으면서 상기 기판상에 배치되는 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 그래핀층은 상기 기판상에 접하게 배치되고,상기 복수 개의 메타 원자 각각은 상기 그래핀층상에 접하게 배치되는 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 기판은절연성 기판인 그래핀 소자
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제 17항에 있어서,상기 기판은,사파이어 기판인 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 기판상에 배치되면서 상기 유전체층에 접한 제1 전극;을 더 포함하는 그래핀 소자
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제 19항에 있어서,상기 제1 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 그래핀층의 유전율이 변하는 그래핀 소자
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 소자에 입사되는 입사광은, 상기 그래핀층과 상기 메타 원자의 계면에서 전류를 유도하는 그래핀 소자
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제 21항에 있어서,상기 유도된 전류는,상기 입사광 중 특정 파장 대역의 광을 반사시키는 그래핀 소자
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제 22항에 있어서,상기 특정 파장 대역의 광은,상기 그래핀층의 유전율에 따라 변하는 그래핀 소자
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제 21항에 있어서,상기 입사광은, 중적외선 대역의 광인 그래핀 소자
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제 19항에 있어서,상기 기판상에 배치되고, 상기 제1 전극을 사이에 두고 이격 배치되는 제2 및 제3 전극;을 더 포함하는 그래핀 소자
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제 25항에 있어서,상기 제2 및 제3 전극 각각은 상기 활성층과 접하는 그래핀 소자
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상호 이격되면서 방사 형상을 갖는 복수 개의 메타 원자와 복수 개의 메타 원자 각각과 접하는 그래핀층을 포함하는 그래핀 소자의 동작 방법에 있어서,제1 광이 입사되는 단계; 및 상기 제1 광 중 상기 그래핀층의 유전율에 대응하는 파장 대역의 제2 광을 반사시키는 단계;를 포함하는 그래핀 소자의 동작 방법
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제 27항에 있어서,상기 제2 광의 파장 대역은,상기 그래핀층의 유전율에 비례하는 그래핀 소자의 동작 방법
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제 27항에 있어서,상기 제1 광은, 중적외선 대역의 광인 그래핀 소자의 동작 방법
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제 27항에 있어서,제3 광이 입사되는 단계;를 더 포함하고,상기 제2 광은 상기 제3 광에 의해 에너지의 세기가 변하는 그래핀 소자의 동작 방법
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제 29항에 있어서,상기 제3 광은 광학-펌프 펄스 형태인 그래핀 소자의 동작 방법
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