맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법(SiC diode manufacturing method through the active heat treatment)

  • 기술번호 : KST2017007253
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 탄화규소 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 제1단계, 이온 주입법을 통해 상기 탄화규소 기판에 도판트를 주입하는 제2단계, 상기 도판트가 주입된 상기 탄화규소 기판을 열처리를 하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 제3단계는, 상기 탄화규소 기판의 결정손상 회복 및 상기 도판트 활성화를 위해 1650 내지 1750℃로 열처리하며, 상기 제3단계 이후에, x-선 회절(x-ray diffraction)을 통해 탄화규소 기판의 결정 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 상기 제1단계의 탄화규소 기판 결정 반치폭의 100 내지 150% 범위 내 포함되는지 여부를 확인하는 제4단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 탄화규소 기판에 도판트 주입을 위해 이온 주입과정을 거친 후 이에 의해 손상된 탄화규소 결정격자를 고온 열처리를 통해 회복시키고, 탄화규소 결정격자 손상 회복을 확인할 수 있다. 또한 열처리를 통해 도판트를 활성화시키고, 도판트 활성화에 의해 면저항이 감소된 것을 확인할 수 있다.
Int. CL H01L 29/861 (2015.11.21) H01L 21/02 (2015.11.21) H01L 21/324 (2015.11.21) H01L 21/265 (2015.11.21)
CPC H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01)
출원번호/일자 1020150144241 (2015.10.15)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0044478 (2017.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.26)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0998682-13
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0319253-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄화규소 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 제1단계, 이온 주입법을 통해 상기 탄화규소 기판에 도판트를 주입하는 제2단계, 상기 도판트가 주입된 상기 탄화규소 기판을 열처리를 하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법에 있어서,상기 제3단계는, 상기 탄화규소 기판의 결정손상 회복 및 상기 도판트 활성화를 위해 1650 내지 1750℃로 열처리하며,상기 제3단계 이후에, x-선 회절(x-ray diffraction)을 통해 탄화규소 기판의 결정 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 상기 제1단계의 탄화규소 기판 결정 반치폭의 100 내지 150% 범위 내 포함되는지 여부를 확인하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는, 상기 제3단계의 상기 탄화규소 기판 결정 반치폭이 상기 제1단계의 탄화규소 기판 결정 반치폭의 100 내지 150% 범위 내에 포함될 때까지 반복되는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는 1700℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 제4단계에서의 탄화규소 기판 결정 반치폭은 100 내지 120% 범위 내 포함되는지 여부를 확인하는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 도판트는, 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P), 질소(N), 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.