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전력 반도체 모듈 및 그것의 안정화 방법(POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR STABLING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017007646
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Sense-FET를 사용한 안정화 회로 구조를 제안한다. 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈은 D-Mode FET와 상기 D-Mode FET와 동일한 구조를 가지며 면적을 달리하는 Sense-FET를 포함한다. 전력 반도체 모듈은 Sense-FET의 구동을 위해 필요한 E-Mode FET 뿐만 아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는 다이오드 등과 같은 회로 소자를 포함하는 안정화 회로를 포함한다.
Int. CL H01L 27/02 (2016.05.10) H01L 29/778 (2016.05.10) H01L 27/06 (2016.05.10) H01L 29/772 (2016.05.10)
CPC H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01)
출원번호/일자 1020160040357 (2016.04.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0051146 (2017.05.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150149694   |   2015.10.27
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민기 대한민국 대전광역시 서구
2 장현규 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 정동윤 대한민국 대전광역시 유성구
4 고상춘 대한민국 대전광역시 유성구
5 이현수 대한민국 경기도 고양시 일산서구
6 전치훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0318785-81
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0667116-53
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0946673-84
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-1185483-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0712420-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1167344-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1167343-85
8 등록결정서
Decision to grant
2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0236928-38
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번호 청구항
1 1
전력 스위칭을 위한 메인 트랜지스터로서 제공되는 공핍형 전계효과 트랜지스터;상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트 및 드레인을 공유하도록 구성되고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터에 비해 전류 구동능력이 작은 센스 전계효과 트랜지스터;캐스코드 구조를 이루기 위해, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소스인 부동 노드에 드레인이 연결되도록 구성되며, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터를 구동하는 증가형 전계효과 트랜지스터;상기 부동 노드와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 연결되어 상기 부동 노드에 대한 전압 안정화를 수행하도록 구성된 제1 안정화 회로; 상기 증가형 전계효과 트랜지스터의 소스와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 연결되어 상기 부동 노드에 대한 전압 안정화를 수행하도록 구성된 제2 안정화 회로; 및상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트와 상기 증가형 전계효과 트랜지스터의 소스 사이에 연결되는 보호 회로를 포함하는 전력 반도체 모듈
2 2
제1항에 있어서, 공핍형 전계효과 트랜지스터는 AlGaN/GaN HEMT의 D-Mode FET이며 전류 도통 방향이 기판에 대하여 수평인 전력 반도체 모듈
3 3
제1항에 있어서, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 게이트 폭(width)비는 N:1이며, 여기서 N은 1보다 큰 정수인 전력 반도체 모듈
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 안정화 회로는 수동 회로 소자를 포함하는 전력 반도체 모듈
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 안정화 회로는 능동 회로 소자를 포함하는 전력 반도체 모듈
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 안정화 회로는 저항이나, 커패시터, 및 인덕터 중의 적어도 하나를 포함하는 전력 반도체 모듈
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 안정화 회로는 다이오드를 포함하는 전력 반도체 모듈
8 8
전력 스위칭을 위한 메인 트랜지스터로서 제공되는 제1 모드 전계효과 트랜지스터;상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터의 게이트 및 드레인을 공유하도록 구성되고 상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터에 비해 게이트 폭이 작은 센스 전계효과 트랜지스터;상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터와 함께 캐스코드 구조를 이루기 위해, 상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터의 소스인 부동 노드에 드레인이 연결되도록 구성되며, 상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터를 구동하는 제2 모드 전계효과 트랜지스터;상기 부동 노드와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 연결되어 전력 스위칭 시에 상기 부동 노드에 대한 전압 안정화를 수행하도록 구성된 제1 안정화 소자; 상기 제2 모드 전계효과 트랜지스터의 소스와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 연결되어 상기 전력 스위칭 시에 상기 부동 노드에 대한 전압 안정화를 수행하도록 구성된 제2 안정화 소자; 및상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 모드 전계효과 트랜지스터의 소스 사이에 연결되는 보호 회로를 포함하는 전력 반도체 모듈
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 모드 전계효과 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 모드 전계효과 트랜지스터의 소스 사이에 저항이나, 커패시터, 또는 다이오드가 더 연결된 전력 반도체 모듈
10 10
공핍형 전계효과 트랜지스터 및 증가형 전계효과 트랜지스터를 구비한 전력 반도체 모듈의 부동 노드 전압 안정화 방법에 있어서:상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트 및 드레인을 공유하도록 구성되고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터에 비해 전류 구동능력이 작은 센스 전계효과 트랜지스터를 제공하고;상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소스와 상기 증가형 전계효과 트랜지스터가 연결되는 부동 노드의 전압 안정화를 위해 상기 부동 노드와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 수동 회로 소자를 제공하고,상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트와 상기 증가형 전계효과 트랜지스터의 소스 사이에 연결되는 보호 회로를 제공하는 것을 포함하는 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 부동 노드의 전압 안정화를 위해 상기 증가형 전계효과 트랜지스터의 소스와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 능동 회로 소자를 제공하는 것을 더 포함하는 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 부동 노드의 전압 안정화를 위해 상기 증가형 전계효과 트랜지스터의 소스와 상기 센스 전계효과 트랜지스터의 소스간에 수동 회로 소자를 제공하는 것을 더 포함하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 원천기술개발사업 차세대 고효율 3D 융합 전력변환모듈