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패드를 포함하는 패키지 기판을 준비하는 것;상기 패드 상에 솔더볼이 배치되도록, 상기 패키지 기판 상에 상기 솔더볼이 부착된 반도체 칩을 실장하는 것;상기 패키지 기판과 상기 반도체 칩 사이에 카복실기가 포함된 환원제를 포함하는 언더필 수지를 채우는 것; 및상기 반도체 칩에 레이저를 조사하여 상기 솔더볼과 상기 패드를 부착하는 것을 포함하되,상기 솔더볼과 상기 패드를 부착하는 것은 조사된 상기 레이저에 의해 발생된 열로 인해 상기 패드 및 상기 솔더볼의 표면들에 형성된 금속 산화막이 금속막으로 바뀌는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원제는 글루타르산(glutaric acid), 말산(alic acid), 아젤레익산(azelaic acid), 아비에트산(abietic acid), 아디프산(adipic acid), 아스코르브산(ascorbic acid), 아크릴산(acrylic acid) 또는 시트르산(citric acid)인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 언더필 수지는 경화성 수지 및 경화제를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저에 의해 발생된 열은 130°C 내지 270°C 온도를 갖는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더볼과 상기 패드를 부착하는 것은 석영 블록(quartz block)을 사용하여 상기 반도체 칩에 압력을 가하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저는 상기 반도체 칩의 상부 및 하부에 조사되는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저는 500nm 내지 2μm의 파장을 갖는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더볼과 상기 패드를 부착한 후에:상기 반도체 칩 상에 상기 반도체 칩의 상부면에 배치된 칩 패드를 덮는 제 1 언더필 수지를 형성하는 것;상기 칩 패드 상에 제 1 솔더볼이 배치되도록, 상기 제 1 솔더볼이 부착된 제 1 반도체 칩을 상기 반도체 칩 상에 실장하는 것; 및상기 제 1 반도체 칩에 조사된 레이저에 의해 발생된 열을 통해 상기 제 1 솔더볼과 상기 칩 패드를 부착하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더볼과 상기 패드를 부착한 후에:상기 반도체 칩 상에 상기 반도체 칩의 상부면에 배치된 칩 패드를 덮는 제 1 언더필 수지를 형성하는 것;상기 제 1 솔더볼이 부착된 제 1 반도체 칩을 상기 반도체 칩 상에 실장하는 것;상기 패키지 기판에 열을 가하여 상기 제 1 언더필 수지의 점도를 감소시켜 상기 칩 패드 상에 상기 제 1 솔더볼이 배치되도록 상기 반도체 칩에 대해 상기 제 1 반도체 칩을 정렬하는 것; 및상기 제 1 반도체 칩에 조사된 레이저에 의해 발생된 열을 통해 상기 제 1 솔더볼과 상기 칩 패드를 부착하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 솔더볼과 상기 칩 패드를 부착하는 것은 감소된 상기 제 1 언더필 수지의 상기 점도를 증가시키는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 패키지 기판에 가해진 상기 열은 50°C 내지 180°C의 온도를 갖고,상기 레이저에 의해 발생된 상기 열은 130°C 내지 270°C 온도를 갖는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더볼과 상기 패드를 부착하기 전에, 상기 반도체 칩의 상부면 상에 레이저 반사층을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 레이저 반사층을 금속 물질을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더볼과 상기 패드를 부착하기 전에:상기 반도체 칩의 상부면 상에 접착막을 형성하는 것; 및상기 접착막 상에 레이저 흡수막을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화막이 상기 금속막으로 바뀌는 것은 상기 열로 인해 상기 환원제가 산화됨으로써 상기 금속 산화막이 환원되는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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패드를 포함하는 패키지 기판을 준비하는 것;상기 패드 상에 제 1 솔더볼이 배치되도록, 상기 제 1 솔더볼이 부착된 제 1 반도체 칩을 상기 패키지 기판 상에 실장하는 것;상기 패키지 기판과 상기 제 1 반도체 칩 사이에 카복실기가 포함된 환원제를 포함하는 제 1 언더필 수지를 채우는 것; 상기 제 1 반도체 칩의 상부면 상에 배치된 칩 패드를 덮도록 카복실기가 포함된 환원제를 포함하는 제 2 언더필 수지를 상기 제 1 반도체 칩 상에 형성하는 것;상기 칩 패드 상에 제 2 솔더볼이 배치되도록, 상기 제 2 솔더볼이 부착된 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 상에 실장하는 것; 및상기 제 1 및 제 2 반도체 칩들에 레이저를 조사하여 상기 제 1 솔더볼과 상기 패드, 및 상기 제 2 솔더볼과 상기 칩 패드를 동시에 부착하는 것을 포함하되,상기 제 1 솔더볼과 상기 패드, 및 상기 제 2 솔더볼과 상기 칩 패드를 동시에 부착하는 것은 상기 조사된 레이저에 의해 발생된 열로 인해 상기 제 2 솔더볼, 및 상기 칩 패드의 표면들에 형성된 금속 산화막들이 금속막들로 바뀌는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 환원제들은 글루타르산(glutaric acid), 말산(alic acid), 아젤레익산(azelaic acid), 아비에트산(abietic acid), 아디프산(adipic acid), 아스코르브산(ascorbic acid), 아크릴산(acrylic acid) 또는 시트르산(citric acid)인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 레이저는 500nm 내지 2μm의 파장을 갖는 반도체 패키지의 제조 방법
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