| 1 |
1
제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 페로브스카이트 결정구조를 갖는 유기 금속 할라이드를 구비하는 저항 변화층을 포함하고,상기 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1로 나타내어지는 저항 변화 메모리 소자:[화학식 1]RNH3MX1nX2(3-n)상기 화학식 1에서, R은 C1 내지 C3의 알킬기, C5 내지 C7의 시클로알킬 또는 C6 내지 C20의 아릴기이고, M은 2가 금속 이온이고, X1과 X2는 서로 다른 할로겐 이온이고, n은 0003c#n003c#3을 만족하는 실수이다
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,R은 메틸 또는 에틸인 저항 변화 메모리 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Ge2+, Sn2+, Pb2+, Yb2+ 또는 이들 중 둘 이상의 조합인 저항 변화 메모리 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 유기 금속 할라이드는 CH3NH3PbInCl3-n(0003c#n003c#3인 실수), CH3NH3PbInBr3-n(0003c#n003c#3인 실수), CH3NH3PbClnBr3-n(0003c#n003c#3인 실수), CH3NH3PbInF3-n(0003c#n003c#3인 실수), 또는 이들 중 둘 이상의 조합인 저항 변화 메모리 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 유기 금속 할라이드는 CH3NH3PbI2Br, CH3NH3PbInCl3-n(n은 2 내지 2
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 저항변화층은 500nm 내지 5um의 두께를 갖는 저항 변화 메모리 소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 금속 산화물 도전막이고, 상기 제2 전극은 금속막 또는 금속 질화물 도전막인 저항 변화 메모리 소자
|
| 9 |
9
제1항 또는 제8항에 있어서,상기 제1 전극은 IO (indium oxide), TO(Tin Oxide), ITO(indium tin oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide), 또는 이들 중 둘 이상의 조합인 저항 변화 메모리 소자
|
| 10 |
10
제1항 또는 제8항에 있어서,상기 제2 전극은 W막, Pt막, Ru막, Ir막, Al막, Mo막, Au막, TiN막, 또는 이들 중 둘 이상의 조합인 저항 변화 메모리 소자
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 저항변화층 사이 또는 상기 제2 전극과 상기 저항변화층 사이에 위치하는 반도체층을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 제1 전극이 금속 산화물 도전막이고,상기 반도체층은 상기 제1 전극과 상기 저항변화층 사이에 위치하고,상기 반도체층은 무기 반도체층인 저항 변화 메모리 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 무기 반도체층은 ZnO 막 또는 TiO2 막인 저항 변화 메모리 소자
|
| 14 |
14
제11항에 있어서,상기 반도체층은 상기 제2 전극과 상기 저항변화층 사이에 위치하고,상기 반도체층은 유기 반도체층인 저항 변화 메모리 소자
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 유기 반도체층은 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene); P3HT), 또는 폴리(사이클로펜타디티오펜-co-벤조티아디아졸)인 저항 변화 메모리 소자
|
| 16 |
16
기판 상에 제1 전극을 형상하는 단계;상기 제1 전극 상에 페로브스카이트 결정구조를 갖는 유기 금속 할라이드층인 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기 금속 할라이드층은 하기 화학식 1로 나타내어지는 물질층인 저항 변화 메모리 소자 제조방법:[화학식 1]RNH3MX1nX2(3-n)상기 화학식 1에서, R은 C1 내지 C3의 알킬기, C5 내지 C7의 시클로알킬 또는 C6 내지 C20의 아릴기이고, M은 2가 금속 이온이고, X1과 X2는 서로 다른 할로겐 이온이고, n은 0003c#n003c#3을 만족하는 실수이다
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,상기 저항 변화층을 형성하는 단계는상기 유기 금속 할라이드를 용매 내에 용해한 용액을 용액 공정을 사용하여 상기 제1 전극 상에 코팅하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
|
| 19 |
19
제16항 또는 제18항에 있어서,상기 저항 변화층을 형성한 후,상기 저항 변화층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
|
| 20 |
20
제16항에 있어서,상기 제1 전극을 형성한 후, 상기 제1 전극의 표면을 플라즈마 에칭하는 단계를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
|
| 21 |
21
제20항에 있어서,상기 제1 전극의 표면을 플라즈마 에칭한 후, 상기 제1 전극을 열처리하는 단계를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
|
