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정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치에 있어서,외부 공기를 차단하며, 내부에 반응 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버의 내부에 배치되는 기판;촉매제가 정전분무된 상기 기판의 상부에 풀러렌(fullerene) 수용액을 정전분무하는 정전분무 노즐; 상기 정전분무 노즐에 고전압을 인가하는 고전압발생기; 및상기 기판을 가열하는 평판히터를 포함하되,상기 고전압이 인가된 상기 촉매제 및 풀러렌 수용액이 상기 기판의 상부에 균일하게 분무되는 것이고, 상기 평판히터의 양단에는 복수의 와이어가 브레이징된 형태로 형성된 전극이 구비되며,상기 전극에 연결된 전원공급기에 의해 상기 평판히터를 가열하는 경우 상기 복수의 와이어가 브레이징된 형태에 의해 과전류가 방지되는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 챔버는 내부에 질소가스를 공급하는 가스 주입구; 및상기 가스 주입구의 일단과 인접한 위치에 배치하며, 상기 질소가스량을 조절하는 밸브조절부를 포함하되,상기 가스 주입구는 가스용기와 연결되어 상기 질소가스를 공급하는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 촉매제는 Fe2+,Fe3+,Ni,Co,Pt및 Pd 중 적어도 하나 이상을 포함하는 금속촉매제로 이루어지고,상기 풀러렌 수용액은 풀러렌, 톨루엔(toluene) 및 정제수로 이루어지는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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제 6 항에 있어서,상기 금속촉매제의 종류에 따라 상기 평판히터의 표면온도를 상이하게 조절하되,상기 금속촉매제가 Ni를 포함하는 경우, 상기 평판히터의 표면온도는 섭씨 600도 내지 800도로 조절되고, 상기 금속촉매제가 Pd를 포함하는 경우, 상기 평판히터의 표면온도는 섭씨 500도 내지 700도로 조절되는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 평판히터에 구비되어 온도를 측정하는 온도센서; 및상기 온도센서로부터 측정된 온도에 기초하여 상기 평판히터의 온도를 제어하는 온도컨트롤러를 포함하는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 평판히터는 실리콘 나이트 라이드의 재질인 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 챔버 내의 수분을 모니터링하여 상기 챔버 내의 습도를 조절하는 습도계를 더 포함하는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치
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정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 방법에 있어서,(a) 챔버 내부에 기판을 준비시키는 단계;(b) 평판히터를 통해 기판을 가열하고 정전분무노즐을 통해 가열된 기판의 상부에 촉매제를 정전분무하는 단계;(c) 상기 촉매제가 정전분무된 기판의 상부에 상기 정전분무노즐을 통해 풀러렌(fullerene) 수용액을 정전분무하는 단계; 및(d) 상기 기판을 가열하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하되,상기 정전분무 노즐에 고전압을 인가하는 고전압발생기에 의해 상기 고전압이 인가된 상기 촉매제 및 풀러렌 수용액이 상기 기판의 상부에 균일하게 분무되는 것이고, 상기 평판히터의 양단에는 복수의 와이어가 브레이징된 형태로 형성된 전극이 구비되며,상기 전극에 연결된 전원공급기에 의해 상기 평판히터를 가열하는 경우 상기 복수의 와이어가 브레이징된 형태에 의해 과전류가 방지되는 것인, 정전분무법을 이용한 탄소나노튜브 합성 방법
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