| 1 |
1
기판, 상기 기판 상에 범프를 개재하여 플립칩 본딩 방법으로 적층된 반도체칩 및 상기 기판과 상기 반도체칩 사이의 적어도 일부를 충전하는 언더필 부재를 구비하며, 상기 반도체칩은, 플립칩 본딩 방법으로 접합한 이후에, 상기 언더필 부재를 형성하기 위하여 공기의 비중 보다 큰 비중을 가지는 액상의 언더필 물질을 주입하고 경화시키는 과정에서 보이드 트랩 형성을 방지하기 위하여 공기가 상기 기판과 상기 반도체칩 사이의 위로 이동하여 상기 반도체칩 외부로 배출되도록 상기 기판과 대면하는 상기 반도체칩의 표면 상에 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 공기배출패턴을 포함하는, 반도체 패키지
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 트렌치는 상기 반도체칩의 일측부에서 타측부까지 제 1 방향으로 신장하되 서로 이격되어 나란하게 배치되는 복수개의 제 1 트렌치를 포함하는, 반도체 패키지
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 적어도 하나의 트렌치는 인접하는 상기 제 1 트렌치들을 연결하되 상기 제 1 방향과 나란하지 않는 제 2 방향으로 신장하는 제 2 트렌치를 포함하는, 반도체 패키지
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 복수개의 제 1 트렌치 중의 적어도 어느 하나는 상기 반도체칩의 일측면 및 타측면 중 적어도 어느 하나에서 상기 반도체칩의 외부로 연통되는, 반도체 패키지
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 트렌치는 상기 반도체칩의 일측부에서 타측부까지 수지상(樹枝狀)으로 확장되어 신장하는 복수개의 트렌치를 포함하는, 반도체 패키지
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 언더필 부재는 상기 트렌치의 적어도 일부를 충전하는, 반도체 패키지
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 언더필 부재는 상기 범프가 노출되지 않도록 상기 범프를 밀봉하는, 반도체 패키지
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 범프는 상기 공기배출패턴 상에 돌출되어 상기 기판에 접하여 개재되는, 반도체 패키지
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 공기배출패턴은 상기 반도체칩의 패시베이션층 상에 형성된, 반도체 패키지
|
| 10 |
10
기판 상에 상기 기판과 대면하는 표면 상에 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 공기배출패턴을 포함하는 반도체칩을 범프를 개재하여 플립칩 본딩 방법으로 실장하는 단계;상기 기판과 상기 반도체칩 사이의 적어도 일부를 충전하도록 공기의 비중보다 큰 비중을 가지는 액상의 언더필 물질을 주입하는 단계로서, 보이드 트랩 형성을 방지하기 위하여 상기 트렌치를 통하여 공기가 상기 반도체칩 외부로 배출되도록 상기 액상의 언더필 물질을 주입하는 단계; 및상기 액상의 언더필 물질을 경화시키고 큐어링하여 상기 기판과 상기 반도체칩 사이의 적어도 일부를 충전하는 언더필 부재를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 언더필 물질을 주입하는 단계는 공기의 비중보다 큰 비중을 가지는 액상의 언더필 물질이 상기 기판과 상기 반도체칩 사이의 바닥면에서부터 채워지며 상대적으로 비중이 작은 공기는 상기 기판과 상기 반도체칩 사이의 위로 이동하여 상기 트렌치를 따라 반도체칩의 외부로 방출되는 단계를 포함하는, 반도체 패키지의 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 액상의 언더필 물질을 주입하는 단계는 상기 반도체칩의 일측부로부터 액상의 언더필 물질을 주입하되 상기 반도체칩의 타측부에서 상기 트렌치를 통하여 배출되는 공기를 흡입하는 단계를 포함하는, 반도체 패키지의 제조방법
|
