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내부에 탄화규소(SiC) 원료 물질이 장입되는 원료부를 구비하는 도가니;상기 도가니의 천정부에 위치하며 탄화규소 종자정이 부착되는 종자정 홀더;상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 및 석영관; 상기 석영관 외부에 위치하며 상기 도가니를 가열하기 위한 가열 수단; 및상기 원료부에 위치하고, 바닥면으로부터 돌출된 돌출부;를 포함하고,상기 돌출부는 다공성 흑연(Porous graphite) 재질인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 1항에서,상기 돌출부는,속이 빈 원통 형태인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 2항에서,상기 다공성 흑연은,밀도가 1g/cm3 이상, 및 1
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제 3항에서,상기 다공성 흑연은,공극률(Porosity)이 30% 이상, 및 50% 이하인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 4항에서,상기 돌출부의 높이는,상기 원료부와 높이가 동일하거나; 원료부의 높이 대비 0mm초과, 및 10mm이하 더 높은 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 5항에서,상기 돌출부의 두께는,5mm 이상, 및 10mm 이하인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 6항에서,상기 돌출부는,상기 원료부의 바닥면 상의 위치를 기준으로, 원료부의 중심부와, 원료부의 외곽부 및 중심부의 중간 지점 사이에 위치하는 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 6항에서,상기 돌출부는,상기 원료부의 열전달을 향상시키는 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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제 8항에서,상기 돌출부는,상기 원료부로부터 상기 단결정 성장장치의 상부로 상승하는 탄소재(Carbon ash)를 걸러주는 것인,탄화규소 단결정 성장장치
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