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다중 블록 구조로 배치된 메모리 블록들; 및하나의 메모리 블록 또는 일방향으로 배치된 둘 이상의 상기 메모리 블록을 포함하는 블록 라인에 발생한 페일(Fail)을 리페어하기 위한 다수의 리페어(Repair) 라인;을 포함하며,상기 다수의 리페어 라인은,상기 메모리 블록들 사이에 배치되며, 상기 페일을 리페어하기 위하여 상기 페일이 발생한 인접한 상기 메모리 블록의 셀 라인을 대체하는 커먼 스페어 라인(Common Spare Line); 및상기 페일을 리페어하기 위하여 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들을 포함하는 복수의 블록 라인들 중 일부의 리페어를 위하여, 하나의 상기 블록 라인의 상기 메모리 블록들의 같은 주소의 상기 셀 라인들을 대체하는 글로벌 스페어 라인(Global Spare Line);을 포함하며,상기 글로벌 스페어 라인은,특정한 하나의 상기 블록 라인에 대응하여 상기 메모리 블록들의 같은 주소의 상기 셀 라인들을 대체하는 싱글 글로벌 스페어 라인; 및모든 상기 블록 라인에 대응하여 상기 메모리 블록들의 같은 주소의 상기 셀 라인들을 대체하는 토탈 글로벌 스페어 라인 중 적어도 하나를 포함함을 특징으로 하는 메모리 디바이스
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제1 항에 있어서, 상기 다수의 리페어 라인은 상기 메모리 블록들 각각에 인접하게 배치되며 상기 페일이 발생한 상기 셀 라인을 대체하는 로컬 스페어 라인을 더 포함하는 메모리 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 커먼 스페어 라인은 로우 커먼 스페어 라인과 컬럼 커먼 스페어 라인 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 글로벌 스페어 라인은 상기 싱글 글로벌 스페어 라인으로서 로우 싱글 글로벌 스페어 라인과 컬럼 싱글 글로벌 스페어 라인 중 적어도 하나를 포함하고 상기 토탈 글로벌 스페어 라인으로서 로우 토탈 글로벌 스페어 라인과 컬럼 토탈 글로벌 스페어 라인과 로우 글로벌 스페어 라인과 컬럼 글로벌 스페어 라인 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 디바이스
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삭제
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다중 블록 구조로 배치된 메모리 블록들의 셀 라인의 페일 발생 상태가 머스트 리페어 조건(Must-Repair)에 해당하는지 분석하는 단계; 및상기 머스트 리페어 조건에 해당하는 상기 메모리 블록이 존재하는 경우, 일방향으로 배치된 다른 메모리 블록들의 동일 주소의 상기 셀 라인의 페일 발생 상태에 따라 머스트 리페어를 위한 리페어 라인을 선택하는 단계;를 포함하고,상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계는,상기 메모리 블록들 각각에 인접하게 배치되며 상기 페일이 발생한 상기 셀 라인을 대체하는 로컬 스페어 라인;상기 메모리 블록들 사이에 배치되며, 상기 페일을 리페어하기 위하여 상기 페일이 발생한 인접한 상기 메모리 블록의 셀 라인을 대체하는 커먼 스페어 라인(Common Spare Line); 및상기 페일을 리페어하기 위하여 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들 중 적어도 일부의 같은 주소의 셀 라인을 대체하는 글로벌 스페어 라인(Global Spare Line); 중 하나를 상기 리페어 라인으로 선택함을 특징으로 하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제6 항에 있어서,컬럼 방향의 상기 머스트 리페어 조건에 해당하는지 분석에 대응한 상기 머스트 리페어를 위하여 로우의 상기 리페어 라인을 선택하고,로우 방향의 상기 머스트 리페어 조건에 해당하는지 분석에 대응한 상기 머스트 리페어를 위하여 컬럼의 상기 리페어 라인을 선택하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제6 항에 있어서, 상기 글로벌 스페어 라인은 상기 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들 중 일부 상기 메모리 블록들의 상기 셀 라인을 대체하는 싱글 글로벌 스페어 라인 및 상기 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들 모두의 상기 셀 라인을 대체하는 토탈 글로벌 스페어 라인으로 구분되며,상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계에서 상기 글로벌 스페어 라인을 선택하는 경우, 상기 싱글 글로벌 스페어 라인과 상기 토탈 글로벌 스페어 라인 중 하나를 상기 리페어 라인으로 선택하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제8 항에 있어서, 상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계에서, 상기 토탈 글로벌 스페어 라인보다 상기 싱글 글로벌 스페어 라인이 상기 리페어 라인으로 선택되는 우선 순위가 높은 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제6 항에 있어서, 상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계는,상기 일방향으로 배치된 메모리 블록들이 모두 상기 머스트 리페어 조건을 만족하는 경우, 상기 페일이 발생한 상기 셀 라인에 대응하는 상기 글로벌 스페어 라인을 선택하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제6 항에 있어서, 상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계는,상기 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들 중 단 하나의 상기 메모리 블록이 상기 머스트 리페어 조건을 만족하는 경우, 상기 페일이 발생한 상기 셀 라인에 대응하는 상기 로컬 스페어 라인과 상기 커먼 스페어 라인 중 하나를 선택하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제6 항에 있어서, 상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계는,상기 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들 중 단 하나의 메모리 블록이 상기 머스트 리페어 조건을 만족하고 나머지 상기 메모리 블록의 동일 주소의 상기 셀 라인에 상기 페일이 없는 경우, 상기 페일이 발생한 상기 셀 라인에 대응하는 상기 로컬 스페어 라인과 상기 커먼 스페어 라인 중 하나를 선택하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제6 항에 있어서, 상기 머스트 리페어를 위한 상기 리페어 라인을 선택하는 단계는,상기 일방향으로 배치된 상기 메모리 블록들 중 적어도 하나가 상기 머스트 리페어 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 페일이 발생한 상기 셀 라인에 대응하는 상기 로컬 스페어 라인, 커먼 스페어 라인 및 글로벌 스페어 라인 중 남아있는 어느 하나를 선택하는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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제13 항에 있어서, 상기 로컬 스페어 라인, 상기 커먼 스페어 라인 및 상기 글로벌 스페어 라인은 미리 정해진 우선 순위에 따라 상기 리페어 라인으로 선택되는 메모리 디바이스의 리페어 분석 방법
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