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초저전압 디지털 회로 및 그것의 동작 방법(ULTRA LOW VOLTAGE DIGITAL CIRCUIT AND OPERATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017013188
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 장치는 복수의 로직 게이트들 및 복수의 로직 게이트들 사이를 연결하는 버퍼 배선을 포함하는 로직 회로, 로직 회로의 온도를 검출하도록 구성되는 온도 센서, 및 로직 회로의 신호 지연은 기준 신호 지연 이하로 유지되고, 소비 전력이 감소되도록, 검출된 온도를 기반으로, 로직 회로로 제공되는 구동 전압을 제어하도록 구성되는 전압 제어기를 포함하되, 복수의 로직 게이트들 및 버퍼 배선 각각은 온도가 증가함에 따라 신호 지연이 감소한다.
Int. CL H03K 19/00 (2016.07.15) H03K 3/011 (2016.07.15) H03K 5/13 (2016.07.15)
CPC H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020160087064 (2016.07.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0092437 (2017.08.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160013608   |   2016.02.03
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.01)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우주 대한민국 대전광역시 유성구
2 권영수 대한민국 대전시 유성구
3 변경진 대한민국 대전시 서구
4 한진호 대한민국 서울시 송파구
5 엄낙웅 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0664607-44
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1121819-18
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0719233-14
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번호 청구항
1 1
로직 회로 및 상기 로직 회로로 제공되는 구동 전압을 제어하는 전압 제어기를 포함하는 초저전압 디지털 회로의 동작 방법에 있어서,상기 로직 회로의 온도를 검출하는 단계; 및상기 검출된 온도를 기반으로 상기 로직 회로의 소비 전력이 감소되도록 상기 구동 전압을 제어하는 단계를 포함하되,상기 로직 회로는 온도가 증가함에 따라 신호 지연이 감소하고, 상기 제어된 구동 전압에 의한 상기 로직 회로의 신호 지연은 기준 값 이하로 유지되는 동작 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 구동 전압을 제어하는 단계는,상기 검출된 온도가 기준 온도보다 높은 경우 상기 구동 전압을 낮추고, 상기 검출된 온도가 기준 온도보다 낮은 경우 상기 구동 전압을 높이는 단계를 포함하는 동작 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 검출된 온도를 기반으로 상기 감소되는 소비 전력 및 온도 제어 전력을 비교하는 단계; 및상기 비교 결과에 따라 상기 로직 회로의 온도를 제어하는 단계를 더 포함하되,상기 온도 제어 전력은 상기 로직 회로의 온도를 제어함으로써 감소되는 소비 전력을 가리키는 동작 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 로직 회로는 복수의 로직 게이트들 및 상기 복수의 로직 게이트들을 서로 연결하는 버퍼 배선들을 포함하고, 상기 버퍼 배선들 각각은 적어도 하나의 버퍼를 포함하고,상기 구동 전압을 제어하는 단계는,상기 검출된 온도를 기반으로 상기 구동 전압 또는 상기 적어도 하나의 버퍼로 제공되는 버퍼 전압을 선택적으로 제어하는 단계를 포함하는 동작 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 버퍼 배선들은 온도가 증가함에 따라 신호 지연이 감소하는 동작 방법
6 6
복수의 로직 게이트들 및 상기 복수의 로직 게이트들 사이를 연결하는 버퍼 배선들을 포함하는 로직 회로;상기 로직 회로의 온도를 검출하도록 구성되는 온도 센서; 및상기 검출된 온도를 기반으로 상기 로직 회로의 소비 전력이 감소하도록 상기 로직 회로로 제공되는 구동 전압을 제어하는 전압 제어기를 포함하되,상기 복수의 로직 게이트들 및 상기 버퍼 배선들 각각은 온도가 증가함에 따라 신호 지연이 감소하고, 상기 제어된 구동 전압에 의한 상기 로직 회로의 신호 지연은 기준 신호 지연 이하로 유지되는 초저전압 디지털 회로
7 7
제 6 항에 있어서,상기 복수의 로직 게이트들 각각은 핀펫 트랜지스터, CMOS 트랜지스터, MOSFET 트랜지스터, 및 멀티 게이트 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 초저전압 디지털 회로
8 8
제 1 항에 있어서,상기 버퍼 배선들 각각은 적어도 하나의 버퍼를 포함하고,상기 적어도 하나의 버퍼는 온도가 증가함에 따라 신호 지연이 감소하는 특성을 갖는 초저전압 디지털 회로
9 9
제 8 항에 있어서,상기 전압 제어기는 상기 적어도 하나의 버퍼로 버퍼 전압을 제공하고, 상기 검출된 온도를 기반으로 상기 구동 전압 및 상기 버퍼 전압을 각각 독립적으로 제어하는 반도체 장치
10 10
제 6 항에 있어서,상기 기준 신호 지연은 상기 로직 회로의 동작 온도 범위 중 가장 낮은 동작 온도 및 상기 로직 회로의 구동 전압 범위 중 가장 높은 구동 전압에서의 상기 로직 회로의 신호 지연인 초저전압 디지털 회로
11 11
제 6 항에 있어서,상기 구동 전압은 1V 이하의 초저전압(ULV; Ultra Low Voltage) 레벨인 초저전압 디지털 회로
12 12
제 6 항에 있어서,상기 전압 제어기는 상기 검출된 온도가 제1 온도 범위에 포함된 경우, 상기 구동 전압을 제1 전압을 조절하고, 상기 검출된 온도가 상기 제1 온도 범위보다 높은 제2 온도 범위인 경우, 상기 구동 전압을 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압으로 조절하는 초저전압 디지털 회로
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제1 온도 범위 및 상기 제2 온도 범위 각각은 상기 복수의 로직 게이트들 및 상기 버퍼 배선 각각의 온도 증가 대 신호 지연 관계를 기반으로 구분되는 초저전압 디지털 회로
14 14
제 6 항에 있어서,상기 로직 회로의 온도를 조절하도록 구성된 온도 제어 장치; 및상기 검출된 온도를 기반으로 상기 온도 제어 장치 및 상기 전압 제어기를 제어하도록 구성되는 전원 관리기를 더 포함하는 초저전압 디지털 회로
15 15
제 14 항에 있어서,상기 전원 관리기는 상기 검출된 온도를 기반으로, 상기 소비 전력이 감소되도록 상기 온도 제어 장치 또는 상기 전압 제어기를 선택적으로 제어하는 초저전압 디지털 회로
16 16
제 6 항에 있어서,상기 로직 회로, 상기 온도 센서, 및 상기 전압 제어기는 하나의 반도체 칩에 집적되는 초저전압 디지털 회로
지정국 정보가 없습니다
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