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CZTSe 태양전지의 ZnSe 상(phase) 제어 방법으로서,CZT 전구체(precursor)를 셀렌화(selenization)하여 CZTSe 흡수체(absorber)를 형성하는 과정에서, 상기 CZT 전구체가 포함하는 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비를 변화시켜 상기 CZTSe 흡수체 내에서 상기 ZnSe 상이 형성되는 위치를 제어하고,상기 CZTSe 흡수체에 소정의 기울기를 갖는 딤플(dimple)을 형성하고, 상기 딤플의 경사진 표면을 라만 분석하여 상기 ZnSe 상의 위치를 확인하는, ZnSe 상 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비는 0
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제2항에 있어서,상기 CZT 전구체는 CuZn, Sn 및 Cu 층을 순차적으로 적층한, ZnSe 상 제어 방법
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제3항에 있어서,상기 조성비는 상기 CZT 전구체의 상부 Cu 층의 두께를 제어하여 변화시키는, ZnSe 상 제어 방법
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제2항에 있어서,상기 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비는 0
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제2항에 있어서,상기 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비가 0
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기판, 하부전극, p형 반도체인 CZTSe 흡수체(absorber), n형 반도체 및 상부전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고,상기 CZTSe 흡수체는 CZT 전구체(precursor)를 셀렌화(selenization)하여 형성하며, 상기 CZT 전구체가 포함하는 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비를 변화시켜 상기 CZTSe 흡수체 내에서 ZnSe 상이 형성되는 위치를 제어하고,상기 CZTSe 흡수체에 소정의 기울기를 갖는 딤플(dimple)을 형성하고, 상기 딤플의 경사진 표면을 라만 분석하여 상기 ZnSe 상의 위치를 확인하는, CZTSe 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비는 0
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제10항에 있어서,상기 CZT 전구체는 CuZn, Sn 및 Cu 층을 순차적으로 적층한, CZTSe 태양전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 조성비는 상기 CZT 전구체의 상부 Cu 층의 두께를 제어하여 변화시키는, CZTSe 태양전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비가 0
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제10항에 있어서,상기 Zn과 Sn의 합에 대한 Cu의 조성비가 0
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