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박막트랜지스터 소자(THIN FILM TRANSISTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2017016485
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 박막트랜지스터 소자는, 베이스 기판에 형성된 데이터 라인 및 게이트 라인; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막트랜지스터; 및 상기 베이스 기판 상에서 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인으로부터 이격 배치되는 자기장 안테나;를 포함하고, 상기 자기장 안테나는 상기 박막트랜지스터에 연결되어, 상기 박막트랜지스터에 대하여 신호를 송수신하거나 상기 박막트랜지스터의 구동을 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 27/01 (2016.05.20) G02F 1/1368 (2016.05.20) H01Q 7/06 (2016.05.20) H01L 27/24 (2016.05.20) H01L 49/02 (2016.05.20)
CPC H01L 27/016(2013.01) H01L 27/016(2013.01) H01L 27/016(2013.01) H01L 27/016(2013.01) H01L 27/016(2013.01)
출원번호/일자 1020160047676 (2016.04.19)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0119529 (2017.10.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재은 대한민국 대구광역시 수성구
2 전병옥 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 최홍수 대한민국 대구광역시 달성군 화원읍 비슬로*
4 최지웅 대한민국 대구광역시 수성구
5 신권식 대한민국 충청남도 천안시 동남구
6 이영진 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0375532-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0344853-23
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0667561-92
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0667562-37
5 등록결정서
Decision to grant
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0827393-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
1 1
베이스 기판에 형성된 데이터 라인 및 게이트 라인;상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막트랜지스터; 및상기 베이스 기판 상에서 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인으로부터 이격 배치되는 자기장 안테나;를 포함하고,상기 박막트랜지스터는,상기 데이터 라인과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 전극;을 포함하고,상기 베이스 기판 상에서 상기 박막트랜지스터를 사이에 두고 상기 자기장 안테나로부터 이격 배치된 추가적인 자기장 안테나를 더 포함하고,상기 자기장 안테나의 일단은 상기 소스 전극에 연결되고, 상기 자기장 안테나의 타단은 상기 게이트 전극에 연결되고, 상기 추가적인 자기장 안테나의 일단은 상기 소스 전극에 연결되고, 상기 추가적인 자기장 안테나의 타단은 상기 드레인 전극에 연결되며,상기 자기장 안테나는 상기 박막트랜지스터에 연결되어 상기 박막트랜지스터의 ON/OFF 구동을 제어하고, 상기 추가적인 자기장 안테나는 상기 박막트랜지스터에 연결되어 상기 박막트랜지스터에 대하여 신호를 송수신하는 박막트랜지스터 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 자기장 안테나는 평면 코일 형상으로 마련되어 자기장에 의해 무선 통신을 가능하게 하는 박막트랜지스터 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 자기장 안테나의 중심부에는 자성체로 마련된 코어 부재 또는 자성물질로 코팅된 나노 와이어로 마련된 코어 부재가 배치되는 박막트랜지스터 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 자성체로 마련된 코어 부재는 상기 자기장 안테나의 중심부 형상에 대응되도록 플레이트 형상으로 마련되어, 상기 자성체로 마련된 코어 부재의 상면은 상기 자기장 안테나의 상면보다 낮게 배치되고,상기 자성물질로 코팅된 나노 와이어로 마련된 코어 부재의 상면은 상기 자기장 안테나의 상면보다 높게 배치되는 박막트랜지스터 소자
5 5
제3항에 있어서,상기 자기장 안테나 및 상기 코어 부재 사이에는 절연 부재가 배치되거나 상기 코어 부재가 절연 물질로 코팅되고, 상기 절연 부재 또는 상기 절연 물질에 의해 상기 코어 부재의 표면에서 와류 전류의 생성이 억제되는 박막트랜지스터 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 자기장 안테나 및 상기 박막트랜지스터 사이에는 다이오드 및 캐패시터가 구비되어, 상기 다이오드 및 캐패시터에 의해 상기 박막트랜지스터에 대하여 송수신되는 교류 신호가 직류 신호로 변환되는 박막트랜지스터 소자
7 7
베이스 기판;상기 베이스 기판에 접속되는 제1 박막트랜지스터;상기 제1 박막트랜지스터에 연결되어 상기 제1 박막트랜지스터의 동작을 제어하는 제1 자기장 안테나;상기 베이스 기판에 접속되는 제2 박막트랜지스터; 및상기 제2 박막트랜지스터에 연결되어 상기 제2 박막트랜지스터의 동작을 제어하는 제2 자기장 안테나;를 포함하고,상기 베이스 기판 상에서 상기 제1 자기장 안테나 및 상기 제2 자기장 안테나로부터 이격 배치된 추가적인 자기장 안테나를 더 포함하고,상기 제1 자기장 안테나 및 상기 제2 자기장 안테나는 상기 제1 박막트랜지스터 및 상기 제2 박막트랜지스터에 대하여 각각 신호를 송수신하고, 상기 추가적인 자기장 안테나는 상기 제1 박막트랜지스터 및 상기 제2 박막트랜지스터에 각각 연결되어 구동 전원을 공급하는 박막트랜지스터 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 추가적인 자기장 안테나의 직경은 상기 제1 자기장 안테나 및 상기 제2 자기장 안테나의 직경보다 크게 마련되는 박막트랜지스터 소자
9 9
제7항에 있어서,상기 추가적인 자기장 안테나의 일단은 상기 제1 자기장 안테나 및 상기 제2 자기장 안테나를 향하여 연장되고,상기 제1 자기장 안테나는 상기 제1 박막트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극에 연결되고, 상기 제2 자기장 안테나는 상기 제1 박막트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극에 연결되며,상기 추가적인 자기장 안테나의 일단은 상기 제1 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제2 박막트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 박막트랜지스터 소자
10 10
베이스 기판;상기 베이스 기판에 접속되는 제1 박막트랜지스터;상기 제1 박막트랜지스터에 연결되어 상기 제1 박막트랜지스터의 동작을 제어하는 제1 자기장 안테나;상기 베이스 기판에 접속되는 제2 박막트랜지스터; 및상기 제2 박막트랜지스터에 연결되어 상기 제2 박막트랜지스터의 동작을 제어하는 제2 자기장 안테나;를 포함하고,상기 제1 자기장 안테나 및 상기 제2 자기장 안테나에 의해 제1 박막트랜지스터 및 상기 제2 박막트랜지스터가 개별적으로 제어되며,상기 제1 자기장 안테나 또는 상기 제2 자기장 안테나는 평면 코일 형태로 마련되어 코일의 턴(turn) 수, 코일의 폭, 코일의 두께 또는 코일의 간격을 조절함으로써 상기 제1 자기장 안테나 또는 상기 제2 자기장 안테나의 공명 주파수가 변경되고, 상기 제1 자기장 안테나 및 상기 제2 자기장 안테나가 서로 다른 공명 주파수를 구비하여 상기 제1 박막트랜지스터 및 상기 제2 박막트랜지스터가 상호 간섭 없이 개별적으로 구동되는 박막트랜지스터 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10177179 US 미국 FAMILY
2 US20170301704 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10177179 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017301704 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 재단법인대구경북과학기술원 중견연구자지원 THz 이상의 초고속 동작 속도를 갖는 금속성 물질 기반의 전기 스위치 개발