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플라즈마를 이용하여 공정이 수행되는 피처리체가 장착되는 기판부 전극;플라즈마 방전을 위한 전력이 인가되는 플라즈마 전극;상기 플라즈마 전극의 국부적 온도 제어를 위해 각각 서로 다른 온도로 제어될 수 있는 복수의 분할된 독립 영역들을 가지며, 상기 플라즈마 전극에 결합되는 냉각부; 및상기 냉각부의 기존 온도 보정 관계식에 의해 결정된 복수의 분할된 독립 영역들의 온도를 제어하여, 상기 플라즈마를 이용한 공정을 수행하고,상기 피처리체의 위치에 따른 플라즈마 공정 결과의 분포를 산출하고,상기 공정 결과의 분포와 상기 분할된 복수의 독립 영역들의 온도 분포를 비교하여, 상기 냉각부의 상기 기존 온도 보정 관계식을 보정하며,상기 보정된 온도 보정 관계식에 의해 산출된 결과를 반영하여 후속 플라즈마를 이용하는 공정을 위한 상기 분할된 복수의 독립 영역들의 온도를 각각 제어하는 제어 모듈을 포함하며,상기 플라즈마 전극의 일 측면 쪽에 배치되는 가스 인렛을 통해 공정 가스가 유입되는 경우, 상기 분할된 독립 영역들은 선형 형태를 가지며, 상기 분할된 독립 영역들의 폭은 상기 가스 인렛으로부터 멀어질수록 증가되는 플라즈마 공정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 냉각부는 각각 서로 다른 온도로 제어될 수 있는 복수의 분할된 독립 영역들을 갖는 플라즈마 공정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 공정 결과가 측정되는 측정 위치는 상기 분할된 독립 영역들의 위치와 서로 대응되는 플라즈마 공정 장치
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제 1 항에 있어서,상기 피처리체의 표면과 상기 플라즈마 전극 사이의 간격은 1 mm 이하인 플라즈마 공정 장치
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 공정 장치는 박막 증착 장치, 식각 장치, 표면 처리 장치 또는 불순물 도핑 장치인 플라즈마 공정 장치
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플라즈마를 이용하여 공정이 수행되는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법으로서, 플라즈마 방전을 위한 전력이 인가되는 플라즈마 전극의 국부적 온도 제어를 위해, 상기 플라즈마 전극에 결합되는 복수의 분할된 독립 영역을 갖는 냉각부를 제공하는 단계;기판부 전극에 피처리체를 장착하고, 상기 냉각부의 기존 온도 보정 관계식에 의해 결정된 복수의 분할된 독립 영역들의 온도를 제어하여, 상기 플라즈마를 이용한 공정을 수행하는 단계;상기 피처리체의 위치에 따른 플라즈마 공정 결과의 분포를 산출하는 단계;상기 공정 결과의 분포와 상기 분할된 복수의 독립 영역들의 온도 분포를 비교하여, 상기 냉각부의 기존 온도 보정 관계식을 보정하는 단계; 및상기 보정된 온도 보정 관계식에 의해 산출된 결과를 반영하여 후속 플라즈마를 이용하는 공정을 위한 상기 분할된 복수의 독립 영역들의 온도를 각각 제어하는 단계를 포함하며,상기 플라즈마 전극의 일 측면 쪽에 배치되는 가스 인렛을 통해 공정 가스가 유입되는 경우, 상기 분할된 독립 영역들은 선형 형태를 가지며, 상기 분할된 독립 영역들의 폭은 상기 가스 인렛으로부터 멀어질수록 증가되는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용하는 공정은 상기 피처리체의 표면과 상기 플라즈마 전극 사이의 거리가 1 mm 이하인 조건에서 수행되는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용하는 공정은 1 Torr 이상의 압력 하에서 수행되는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 복수의 분할된 독립 영역들은 서로 다른 온도로 제어될 수 있는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 공정 결과가 측정되는 측정 위치는 상기 분할된 독립 영역들의 위치와 서로 대응되는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마 공정의 공정 결과는 박막의 두께, 식각 속도, 표면 모폴로지, 조성비, 전기적 특성, 자기적 특성, 화학적 특성, 강도 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플라즈마 공정 장치의 제어 방법
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