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원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법(PREPARING METHOD OF CHALCOGEN-CONTAINING FILM USING ATOMIC LAYER DEPOSITION)

  • 기술번호 : KST2017017126
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 물질인 칼코겐-함유 막 증착에서 있어서 종래 원자층 증착 공정보다 단순하고 조성 조절이 용이한 칼코겐-함유 막의 제조 방법에 관한 것으로서, Ge 전구체 및 제 1 Te 전구체를 이용하여 Ge-Te을 증착하는 단계; 및 Sb 전구체 및 제 2 Te 전구체를 이용하여 Sb-Te을 증착하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 Ge 전구체는 Cl 원소를 포함하지 않는 것인, Ge-Sb-Te 막의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/30 (2016.06.03) C23C 16/455 (2016.06.03) H01L 45/00 (2016.06.03) H01L 21/205 (2016.06.03)
CPC C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01)
출원번호/일자 1020160052914 (2016.04.29)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123825 (2017.11.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원준 대한민국 서울특별시 마포구
2 김유진 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0414837-97
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0394350-39
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0394409-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0271044-58
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0599177-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0714723-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0714709-89
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0812849-85
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1302359-28
10 법정기간연장승인서
2018.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0204938-47
11 면담 결과 기록서
2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0004890-75
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0100925-90
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0100901-05
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0126421-35
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번호 청구항
1 1
Ge 전구체 및 제 1 Te 전구체를 이용하여 원자층 증착법에 의해 Ge-Te을 증착하는 Ge-Te 사이클 1 회 이상 반복 수행하는 것, 및Sb 전구체 및 제 2 Te 전구체를 이용하여 원자층 증착법에 의해 Sb-Te을 증착하는 Sb-Te 사이클 1 회 이상 반복 수행하는 것을 포함하는 공정을 1 회 이상 반복 수행하여 Ge-Sb-Te 막을 증착하는 것을 포함하는, Ge-Sb-Te 막의 제조 방법으로서,상기 Ge-Te 사이클 및 상기 Sb-Te 사이클은 각각 독립적으로 수행되는 것이고,여기서,상기 Ge 전구체는 Cl 원소를 포함하지 않는 것이고,상기 Ge-Te 증착 단계 및 상기 Sb-Te 증착 단계는 각각 독립적으로 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것이고,상기 Ge-Te은 1:1의 원소비를 갖는 GeTe 막이고,상기 Sb-Te은 2:3의 원소비를 갖는 Sb2Te3 막이고,상기 Sb 전구체는 SbCl3, Sb(CH3)3, Sb(C2H5)3 Sb(C3H7)3, Sb[N-(CH3)2]3, 또는 Sb[N-(C2H5)2]3 를 포함하는 것인,Ge-Sb-Te 막의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Ge-Sb-Te 막은 Ge2Sb2Te5의 조성을 가지는 것인, Ge-Sb-Te 막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 Ge 전구체는 +2가 Ge 원소를 포함하는 것인, Ge-Sb-Te 막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 Ge 전구체는 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, Ge-Sb-Te 막의 제조 방법:[화학식 1](R1NCH=CHNR2)Ge(II);상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 이들의 이성질체인 알킬기를 포함함
7 7
제 1 항에 있어서,상기 Ge 전구체는 1,4-디-메틸-1,3-디아자부타디에닐 저마늄, 1,4-디-에틸-1,3-디아자부타디에닐 저마늄, 1,4-디-이소프로필-1,3-디아자부타디에닐 저마늄, 1,4-디-부틸-1,3-디아자부타디에닐 저마늄, 1,4-디-아자뷰테인-1,4-디-tert-부틸-2,2-디-메틸 저마늄, 4-tert-부틸-1,4-디-아자뷰테인-3,3-디-메틸-1-에틸 저마늄, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, Ge-Sb-Te 막의 제조 방법
8 8
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9 9
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10 10
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 신공정 및 metrology 연구를 통한 차세대 PCRAM 기술 개발