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하부 전극 및 반사층을 구비하는 하부 구조물을 형성하는 단계;상기 하부 구조물 상에 구조물 절연막을 형성하는 단계;상기 구조물 절연막을 식각하여 상기 하부 구조물의 반사층을 노출하는 보이드를 형성하는 단계;상기 보이드 내측 및 상기 구조물 절연막 상측에 제 1 희생층을 형성하는 단계;상기 제 1 희생층을 관통하여 상기 하부 구조물의 하부 전극을 노출하는 제 1 비아홀을 형성하는 단계;상기 제 1 비아홀이 형성되는 상기 제 1 희생층 상에 센서 구조를 포함하는 제 1 상부 구조물을 형성하는 단계;상기 제 1 상부 구조물을 관통하는 적어도 하나의 제 1 관통홀을 형성하는 단계; 상기 제 1 관통홀을 구비한 제 1 상부 구조물 상에 제 2 희생층을 형성하되 상기 제 1 관통홀 내에도 상기 제 2 희생층이 채워지는 단계; 상기 제 2 희생층을 관통하여 상기 하부 구조물의 다른 하부 전극을 노출하는 제 2 비아홀을 형성하는 단계;상기 제 2 비아홀이 형성되는 상기 제 2 희생층 상에 센서 구조를 포함하는 제 2 상부 구조물을 형성하는 단계;상기 제 2 상부 구조물을 관통하는 적어도 하나의 제 2 관통홀을 형성하는 단계; 상기 하부 구조물, 상기 제 1 상부 구조물, 및 상기 제 2 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 제 1 및 제 2 관통홀을 통해서 상기 제 1 및 제 2 희생층을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지며,상기 제 1 및 제 2 희생층을 형성하는 단계에서는, 반도체 소자의 금속 배선 공정인 후공정(back-end process)을 통해 형성하며,상기 제 1 및 제 2 비아홀의 형성시, 클리닝(cleaning) 및 평탄화 공정을 더 수행하며,상기 제 1 및 제 2 희생층을 형성한 후에 상기 제 1 및 제 2 희생층 상에 각각 제 1 및 제 2 절연 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제 1 비아홀을 형성하는 단계에서는, 상기 제 1 절연 지지층 상에 식각 보호막을 형성하고 상기 제 1 절연 지지층 및 상기 제 1 희생층을 식각하여, 상기 제 1 절연 지지층 및 상기 제 1 희생층을 관통하여 상기 하부 구조물의 하부 전극을 노출하여 상기 제 1 비아홀을 형성하고, 상기 제 2 비아홀의 형성 단계에서는, 상기 제 2 절연 지지층 상에 식각 보호막을 형성하고 상기 제 2 절연 지지층, 상기 제 2 희생층, 상기 제 1 희생층, 및 구조물 절연막을 식각하여, 상기 제 2 절연 지지층과 상기 제 1 및 제 2 희생층을 관통하여 상기 하부 구조물을 노출하는 제 2 비아홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 구조물 절연막을 형성하는 단계는 고밀도 플라스마(HDP) 화학 증착법 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 희생층을 형성하는 단계에서는, 스핀 온 절연막(SOD) 또는 스핀 온 글래스(SOG)를 이용하여 스핀 증착(spinfil)하여 상기 제 1 및 제 2 희생층을 형성하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 희생층을 제거하는 단계에서는, 습식 식각을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 하부 구조물은 판독집적회로(Read Out Integrated Circuit; ROIC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 상부 구조물은,적외선을 흡수할 수 있는 금속층; 및상기 금속층을 통하여 전달되는 열에 따라 저항이 가변되는 저항 소자 물질층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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제 21 항에 있어서,상기 저항 소자 물질층은 적외선 센서, 자외선 센서, 엑스선 센서, 또는 레이저 센서인 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법
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