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a) 기판 위에 다공성 절연물질을 위치시키는 단계;b) 기화된 단량체 및 개시제를 주입하면서 열을 가해, 개시제를 열분해 하여 자유라디칼을 형성하고, 자유라디칼이 단량체를 활성화시켜 연쇄 중합 반응을 유도하여 상기 다공성 절연물질 표면의 열린 기공을 실링하여 두께가 20 nm 이하인 고분자 박막을 형성하는 단계; 및c) 60 ~ 400 ℃에서 열처리 하는 단계;를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 1항에 있어서,상기 b)단계를 2회 이상 반복하여 수행하는 것인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 1항에 있어서,상기 a) 및 b)단계는 진공 챔버 환경의 기상 반응기 내에서 수행하는 것인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 3항에 있어서,상기 기판의 온도는 10 ~ 400℃이고, 챔버 압력은 50 ~ 2500 mTorr이고, 증착 시간은 1 ~ 3600초이고, 개시제를 열분해하는 온도는 100 ~ 300℃인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 1항에 있어서,상기 개시제는 퍼옥사이드계 개시제이고,상기 단량체는 최소 하나 이상의 비닐기를 포함하는 실록산계 단량체, 최소 하나 이상의 비닐기를 포함하는 실라잔계 단량체 또는 아크릴계 단량체인 것인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 5항에 있어서,상기 단량체는 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리비닐 사이클로트리실록산, 2,4,6-트리메틸-2,4,6-트리비닐사이클로테트라실라잔, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐사이클로테트라실록산, 퍼플루오로데실 아크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 절연물질은 표면 실링 전 유전체 상수 k1과, 표면 실링 후 유전체 상수 k2가 하기 식 1 및 식 2를 만족하고,표면 실링 전 열린 기공도 P1과, 표면 실링 후 열린 기공도 P2가 하기 식 3 및 식 4를 만족하는 것인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 1항에 있어서,상기 b)단계에서, 기화 또는 승화된 단량체 및 개시제 주입 시, Ar, N2 및 He에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 캐리어 가스를 사용하는 것인 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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제 2항에 있어서,상기 b)단계를 2회 이상 반복 시, 각각의 고분자 박막 형성 단계 사이에 60 ~ 400 ℃에서 열처리 하는 단계를 더 포함하는 iCVD 공정을 이용한 다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법
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