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유연기판;상기 유연기판 상부에 형성되고, 소자형성층을 포함하는 반도체 다이;상기 반도체 다이를 감싸도록 형성되는 몰드;를 포함하는 유연전자소자로서,중립축 위치를 상기 소자형성층에 가까운 위치로 이동시키기 위한 중립축 위치 조절용 더미부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 다이는 상기 소자형성층이 상면에 형성된 페이스-업 구조의 반도체 다이이고,상기 중립축 위치 조절용 더미부는 상기 반도체 다이 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 다이는 상기 소자형성층이 하면에 형성된 페이스-다운 구조의 반도체 다이이고,상기 중립축 위치 조절용 더미부는 상기 반도체 다이 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제1항에 있어서,적층된 복수 개의 반도체 다이를 포함하고,상기 중립축 위치 조절용 더미부는 상기 복수 개의 반도체 다이의 상부, 하부 또는 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제1항에 있어서,상기 중립축 위치 조절용 더미부는 복수 개로 분할된 단위 더미부들을 포함하고, 상기 단위 더미부들 사이에는 이격 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제5항에 있어서,상기 복수 개로 분할된 단위 더미부들은 면적, 형상, 두께 또는 영률 중 하나 이상이 균일하지 않은 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제1항에 있어서,상기 소자형성층은 제1 영역 및 제2 영역을 갖고,상기 중립축 위치는 상기 제1 영역 및 제2 영역에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제7항에 있어서,상기 제1 영역 및 제2 영역은, 회로 형성 밀도가 서로 다른 영역인 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제7항에 있어서,상기 제1 영역 및 제2 영역은, 각 영역에 형성된 소자의 응력에 의해 손상되기 쉬운 정도가 서로 다른 영역인 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 다이의 적어도 일부는 상기 유연기판에 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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제10항에 있어서,상기 몰드는 상기 유연기판과 동일한 소재인 것을 특징으로 하는 중립축 위치가 조절된 유연전자소자
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유연전자소자 제조방법으로서,유연기판을 제공하는 단계;소자형성층을 포함하는 반도체 다이를 상기 유연기판 상부에 위치시키는 단계;몰딩 공정을 통해 상기 반도체 다이를 감싸도록 몰드를 형성하는 단계;를 포함하고,중립축 위치를 상기 소자형성층에 가까운 위치로 이동시키기 위한 중립축 위치 조절용 더미부 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연전자소자 제조방법
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