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고정된 파장의 제1 레이저 광을 발진하는 파장 고정 레이저; 상기 고정된 파장을 제외한 나머지 다수의 파장이 가변된 제2 레이저 광을 발진하는 파장 가변 레이저; 및 상기 제1 레이저 광과 제2 레이저 광을 혼합하여 혼합광을 분배하여 비팅 광원을 출력하는 광분배기를 포함하는 광원부;함수 발생기에 의거하여 구동하는 상기 광원부의 비팅 광원을 수신하는 포토믹스 송신기와, 위상 변조기를 경유한 비팅 광원을 수신하는 포토믹서 수신기를 포함하여 상기 제 1 레이저광과 제2 레이저광의 파장 차이 값에 해당되는 주파수를 연속 발진하는 테라헤르츠파를 발생하여 반도체 샘플로 조사하는 테라헤르츠파 발생부; 위상 변조기를 경유한 비팅 광원을 수신하는 포토믹서 수신기를 포함하여 상기 제 1 레이저광과 제2 레이저광의 파장 차이값 및 상기 주파수 속도에 따라 연속 발진하는 테라헤르츠파를 발생하여 반도체 샘플로 조사하는 테라헤르츠파 발생부;상기 반도체 샘플을 통과한 테라헤르츠파를 상기 함수 발생기의 주파수 속도에 동기되어 검출하여 검출 신호를 출력하는 검출부; 및상기 검출부의 검출 신호를 상기 주파수 변조 속도에 기초하여 연속적으로 고속 획득하여 반도체 샘플 별 테라헤르츠파에 대한 특성을 분석하는 분석부를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 테라헤르츠파 발생장치는, 상기 광분배기와 포토믹스 송신기 사이와 상기 광분배기와 위상 변조기 사이의 광섬유에 각각 결합되어 각 비팅 광원의 편광입자를 조절하는 다수의 편광 조절기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제2항에 있어서, 상기 포토믹스 송신기 및 수신기 각각은, InGaAs 물질의 바우(bow)-타이(tie) 형태인 포토컨덕티브 안테나(Photoconductive antenna)를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제3항에 있어서, 상기 검출부는, 발생된 테라헤르츠파를 기 정해진 이득으로 증폭하는 프리 증폭기; 및증폭된 테라헤르츠파를 상기 함수 발생기의 교류 신호에 따라 트리거되어 상기 검출 신호를 검출하는 럭인(lock-in) 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제4항에 있어서, 상기 검출부는, 상기 광분배기를 통해 포토믹서의 송신기로 전달되는 비팅 광원에 대한 특성을 분석하는 광스펙트럼 분석기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 위상 변조기는 테라헤르츠파의 파워의 세기가 기 정해진 임계치를 초과하는 것을 방지하기 위해 상기 분석부로부터 제공된 위상을 토대로 테라헤르츠파의 파워의 세기를 검색하여 안정적인 테라헤르츠파를 발생하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 위상 변조기는, 광섬유 지연기 및 광변조기 중 하나로 구비되는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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제1항 내지 제8항에 있어서, 상기 반도체 샘플은, P형 또는 N형 타입 실리콘 웨이퍼로 구비되는 것을 특징으로 하는 위상변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
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