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수평 방향의 자기장의 변화를 감지하기 위해 십자형 구조를 가지는 자화 씨드층;상기 자화 씨드층 상에 형성되고, 강자성체로 이루어진 자화 자유층; 및상기 자화 자유층 상에 형성되고, 수직 방향의 자기장의 변화를 감지하기 위한 수직 센싱부를 포함하고,상기 자화 씨드층은 상기 자화 자유층과 계면 접합을 형성하고, 스핀 궤도 토크에 의해 자기저항이 변경되어 상기 수평 방향의 자기장의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제1항에 있어서, 상기 자화 씨드층은,y축 방향으로 신장되고, x축 방향으로 인가되는 자기장의 변화를 감지하기 위한 x축 센싱부; 및상기 x축 센싱부와 동일 평면을 이루며, x축 방향으로 신장되고, y축 방향으로 인가되는 자기장의 변화를 감지하기 위한 y축 센싱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제1항에 있어서, 상기 자화 씨드층은 Ta, W, Hf, Mo, Nb, Ti, Pt 또는 Pd을 가지는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제1항에 있어서, 상기 자화 자유층은 수직자기이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제1항에 있어서, 상기 자화 씨드층은 3nm 내지 10nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제1항에 있어서, 상기 수직 센싱부는,상기 자화 자유층 상에 형성된 터널링 절연층; 및상기 터널링 절연층 상에 형성되고 수평자기이방성을 가지는 자화 고정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제8항에 있어서, 상기 수직 센싱부는 상기 자화 자유층과 함께 자기 터널 저항 효과에 의해 수직 방향의 자기장을 감지하는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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순차적으로 적층된 자화 씨드층, 자화 자유층 및 수직 센싱부로 구성된 3축 자기 센서에 있어서,상기 자화 씨드층은 상기 수직 센싱부와 함께 상기 자화 자유층을 공유하고, 상기 자화 씨드층과 상기 자화 자유층은 수평 방향의 자기장의 변화를 감지하고, 상기 수직 센싱부와 상기 자화 자유층은 수직 방향의 자기장의 변화를 감지하며,상기 자화 자유층과 상기 자화 씨드층의 계면 접합에 의해 스핀 궤도 토크가 발생되고, 상기 자화 씨드층에서 자기저항이 변경되는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제10항에 있어서, 상기 자화 씨드층은 Ta, W, Hf, Mo, Nb, Ti, Pt 또는 Pd을 가지는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제10항에 있어서, 상기 자화 자유층 및 상기 수직 센싱부는 터널링 자기 저항 구조를 형성하여 수직으로 인가되는 자기장의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제13항에 있어서, 상기 자화 자유층은 수직자기이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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제13항에 있어서, 상기 수직 센싱부는,상기 자화 자유층 상에 형성된 터널링 절연층; 및상기 터널링 절연층 상에 형성되고 수평자기이방성을 가지는 자화 고정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 자기 센서
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