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배치 평면에서 매트릭스 형태로 2차원적으로 배열되는 디스크 형태의 광결정 구조; 및상기 광 결정 구조을 지지하고 적어도 상기 광 결정의 측면을 감싸도록 배치된 플랙서블 기판을 포함하고,상기 광결정 구조는 상기 플랙서블 기판에 매몰되고,상기 플랙서블 기판은 상기 광결정 구조에 각각 정렬되고 상기 광결정 구조를 외부로 노출시키도록 상기 광결정 구조의 직경보다 작은 관통홀을 구비하고,상기 광결정 구조의 배열 주기는 550nm 내지 700 nm이고, 상기 광결정 구조는 Γ-포인트 밴드-에지 모드(Γ-point band-edge mode)에서 발진하고,상기 광결정 구조의 레이저 이득 매질은 적외선 영역에서 자발 방출하는 InGaAsP이고,상기 광결정 구조는 차례로 적층된 InGaAsP 하부 클래딩층, 양자 우물 InGaAsP 활성층; 및 InGaAsP 상부 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저
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제1 항에 있어서,상기 플랙서블 기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(polyimide), 또는 PET(Polyethylene Terephthalate) 인 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저
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제1 항에 있어서,상기 플랙서블 기판에 스트레인 인가하는 압력 인가 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저
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기판 상에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 광결정 활성층을 형성하는 단계;상기 광결정 활성층 상에 레지스트를 도포하고 패터닝하여 레지스트 마스크를 형성하는 단계;상기 레지스트 마스크를 식각 마스크로 하여 상기 광결정 활성층 및 상기 버퍼층을 건식 식각하여 2차원적으로 배열된 광결정 구조를 형성하는 단계;상기 광결정 구조의 상기 버퍼층을 선택적으로 습식 식각하여 얇아진 광결정 지지부를 형성하는 단계;상기 얇아진 광결정 지지부가 형성된 기판 상에 폴리머를 코팅하고 경화시키는 단계;상기 기판을 제거하여 폴리머에 매몰된 상기 광결정 구조를 제공하는 단계; 및상기 얇아진 광결정 지지부를 습식 식각을 통하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 기판은 InP이고,상기 식각 정지층은 InGaAs이고,상기 버퍼층은 InP이고,상기 광결정 활성층은 InGaAsP을 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 폴리머는 PDMS(Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(polyimide), 또는 PET(Polyethylene Terephthalate) 중에서 적어도 하나를 포함하는 특징으로 하는 광결정 구조 레이저의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 건식 식각은 염소 가스 분위기 하에서 아르곤 이온를 가속하여 수행하는 화학적 도움 이온 빔 식각(Chemically assisted ion beam etching)인 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저의 제조 방법
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광결정 구조 레이저;상기 광 결정 구조 레이저에 펌프 광을 제공하는 펌프 광원; 상기 광결정 구조 레이저에 인가되는 외부 압력에 따라 변하는 레이저 파장을 검출하는 파장 검출부; 및상기 레이저 파장을 이용하여 상기 광결정 구조 레이저의 변형 정도를 산출하는 처리부를 포함하고,상기 광결정 구조 레이저는:배치 평면에서 매트릭스 형태로 2차원적으로 배열되는 디스크 형태의 광결정 구조; 및상기 광 결정 구조를 지지하고 적어도 상기 광 결정의 측면을 감싸도록 배치된 플랙서블 기판을 포함하고,상기 광결정 구조는 상기 플랙서블 기판의 변형 정도와 상관없이 플랙서블 기판 내부에 단단히 고정될 수 있도록 매몰되고,상기 플랙서블 기판은 상기 광결정 구조에 각각 정렬되고 상기 광결정 구조를 외부로 노출시키도록 상기 광결정 구조의 직경보다 작은 관통홀을 구비하고,상기 광결정 구조의 배열 주기는 550nm 내지 700 nm이고, 상기 광결정 구조는 Γ-포인트 밴드-에지 모드(Γ-point band-edge mode)에서 발진하고,상기 광결정 구조의 레이저 이득 매질은 적외선 영역에서 자발 방출하는 InGaAsP 이고,상기 광결정 구조는 차례로 적층된 InGaAsP 하부 클래딩층, 양자 우물 InGaAsP 활성층; 및 InGaAsP 상부 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치
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제11 항에 있어서,상기 펌프 광원의 방출하는 상기 펌프광을 제공받아 상기 광결정 구조 레이저에 전달하고, 상기 광결정 구조 레이저에서 방출되는 레이저 광을 제공받아 상기 파장 검출부에 전달하는 이색성 미러;상기 펌프 광원과 상기 이색성 미러 사이에 배치되는 평행광 렌즈; 및상기 이색성 미러와 상기 광결정 구조 레이저 사이에 배치되어 상기 펌프광을 상기 상기 광결정 구조 레이저에 집속하는 대물렌즈; 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치
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제16 항에 있어서,조명광을 출력하는 조명 광원; 상기 조명광을 제공받아 상기 광결정 구조 레이저에 제공하도록 상기 이색성 미러와 상기 대물 렌즈 사이에 배치되는 빔 결합기; 상기 이색성 미러와 상기 파장 검출부 사이에 배치되어 빔 경로를 변경하는 반사 거울;상기 반사 거울과 상기 파장 검출부 사이에 배치되어 빔을 분리하는 빔 분리기; 및상기 빔 분리기로부터 분리된 빔을 이용하여 촬상하는 카메라; 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치
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제11 항에 있어서,상기 플랙서블 기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(polyimide), 또는 PET(Polyethylene Terephthalate) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치
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제11 항에 있어서,상기 펌프 광의 출력은 600 마이크로 와트 이상인 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치
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내부에 케비티를 구비하고 입구 채널 및 출구 채널를 포함하는 하우징;상기 하우징의 내부에 배치된 pH-민감 하이드로겔(ph-sensitive hydrogel);및상기 하우징의 일면에 배치된 광결정 구조 레이저;를 포함하고,상기 pH-민감 하이드로겔은 액상 용액의 pH 레벨에 따라 부피 변화를 제공하고, 상기 광결정 구조 레이저는 상기 부피 변화에 의하여 변형되고,상기 광결정 구조 레이저는:배치 평면에서 매트릭스 형태로 2차원적으로 배열되는 디스크 형태의 광결정 구조; 및상기 광 결정 구조를 지지하고 적어도 상기 광 결정의 측면을 감싸도록 배치된 플랙서블 기판을 포함하고,상기 광결정 구조는 상기 플랙서블 기판에 매몰되고,상기 플랙서블 기판은 상기 광결정 구조에 각각 정렬되고 상기 광결정 구조를 외부로 노출시키도록 상기 광결정 구조의 직경보다 작은 관통홀을 구비하고,상기 광결정 구조의 배열 주기는 550nm 내지 700 nm이고, 상기 광결정 구조는 Γ-포인트 밴드-에지 모드(Γ-point band-edge mode)에서 발진하고,상기 광결정 구조의 레이저 이득 매질은 적외선 영역에서 자발 방출하는 InGaAsP 이고,상기 광결정 구조는 차례로 적층된 InGaAsP 하부 클래딩층, 양자 우물 InGaAsP 활성층; 및 InGaAsP 상부 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조 레이저 기반 pH 센서
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광결정 구조 레이저 기반 pH 센서;상기 광 결정 구조 레이저에 펌프 광을 제공하는 펌프 광원; 상기 광결정 구조 레이저에 인가되는 외부 압력에 따라 변하는 레이저 파장을 검출하는 파장 검출부; 및상기 레이저 파장을 이용하여 상기 광결정 구조 레이저의 변형 정도를 산출하는 처리부를 포함하고, 상기 광결정 구조 레이저 기반 pH 센서는: 내부에 케비티를 구비하고 입구 채널 및 출구 채널를 포함하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 배치된 pH-민감 하이드로겔(ph-sensitive hydrogel);및 상기 하우징의 일면에 배치된 광결정 구조 레이저;를 포함하고, 상기 pH-민감 하이드로겔은 액상 용액의 pH 레벨에 따라 부피 변화를 제공하고, 상기 광결정 구조 레이저는 상기 부피 변화에 의하여 변형되고,상기 광결정 구조 레이저는:배치 평면에서 매트릭스 형태로 2차원적으로 배열되는 디스크 형태의 광결정 구조; 및상기 광 결정 구조를 지지하고 적어도 상기 광 결정의 측면을 감싸도록 배치된 플랙서블 기판을 포함하고,상기 광결정 구조는 상기 플랙서블 기판에 매몰되고,상기 플랙서블 기판은 상기 광결정 구조에 각각 정렬되고 상기 광결정 구조를 외부로 노출시키도록 상기 광결정 구조의 직경보다 작은 관통홀을 구비하고,상기 광결정 구조의 배열 주기는 550nm 내지 700 nm이고, 상기 광결정 구조는 Γ-포인트 밴드-에지 모드(Γ-point band-edge mode)에서 발진하고,상기 광결정 구조의 레이저 이득 매질은 적외선 영역에서 자발 방출하는 InGaAsP 이고,상기 광결정 구조는 차례로 적층된 InGaAsP 하부 클래딩층, 양자 우물 InGaAsP 활성층; 및 InGaAsP 상부 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 pH 측정 장치
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