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터치 센서 소자 및 그 제조 방법(Touch sensor device and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2018001856
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 터치 센서 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 터치 센서 소자의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 하부전극 패턴을 형성하는 단계, 상기 하부전극 패턴 상에 압전 물질 및 광전 변환 물질을 포함하는 활성층(active layer)을 형성하는 단계, 상기 활성층 상에 상부전극 패턴을 형성하는 단계, 상기 상부전극 패턴 상에 보호필름을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 3/041 (2017.08.11) G06F 3/042 (2017.08.11)
CPC
출원번호/일자 1020170100167 (2017.08.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0016962 (2018.02.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160100549   |   2016.08.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 강남구
2 전영표 대한민국 서울특별시 동대문구
3 우성준 대한민국 경상북도 경주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0762304-26
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0882710-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0063421-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0314513-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0671039-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0671038-19
8 등록결정서
Decision to grant
2018.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0698407-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되고 제1 방향으로 연장하는 하부전극 패턴;상기 하부전극 패턴 상에 배치되고 압전 물질을 포함하는 압전층 및 광전 변환 물질을 포함하는 광전 변환 구조체를 포함하는 활성층(active layer); 및 상기 활성층 상에 배치되되, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 상부전극 패턴을 포함하되, 상기 압전층은, 오목부들 및 볼록부들이 교대로 반복되는 물결 구조를 갖고, 상기 광전 변환 구조체는, 상기 압전층 상에 배치되는 것을 포함하는 터치 센서 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 활성층은, 상기 압전층 및 상기 광전 변환 구조체가 교대로 반복되어 적층된 것을 포함하는 터치 센서 소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 광전 변환 구조체는, 입자 형태로 제공되는 것을 포함하는 터치 센서 소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 광전 변환 구조체는, 막 형태로 제공되는 것을 포함하는 터치 센서 소자
7 7
제1 항에 있어서, 대상물이 터치되는 경우, 상기 압전층은, 상기 대상물에 의해 발생된 압력을 이용하여, 제1 전기 신호를 생성하고, 상기 광전 변환 구조체는, 상기 대상물에 의해 상기 광전 변환 구조체로 입사되는 광량의 차이를 이용하여, 제2 전기 신호를 생성하고, 상기 제1 전기 신호 및 상기 제2 전기 신호는 상기 상부전극 패턴 및 상기 하부전극 패턴으로 전달되는 것을 포함하는 터치 센서 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 압전 물질은, ZnO, CdS, ZnS, GaN, InN, PVDF, PZT, BATiO3, BTO, KNbO3, 또는 NaNbO3 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 광전 변환 물질은, P3HT, MDMO-PPV, PFB, CN-MEH-PPV, F8BT, C60, PFN-OX, PFNIBT, PFNBr, PFN-DOF, C60-COOH-SAM, PDCDT, PenPTC, ZnPC, CuPC, TiOPC, PTCBI, ADIDI, PTCDA, PTCDI, PC71BM, NTDA, MePTC, HepPTC, SMDPPEH, CuNC, CuPC-8H, C70, TTPA, TPTPA, SMDPPH, SMDPPI, DBP, PtPC, AIPCCI, ICMA, ICBA, DiP, DPP(TBFu)2, BP, DTDCTB, HB194, VOPc, TPDCDTS, OXCBA, PrC60MA, DR3TBDT, DIBSQ, IC70BA, PrC60Malodidesalt, TBDI, SnPC, SMPV1, DTS(PTTH2)2, INCIPC, F16FePC, BDT2TH, SnNCCl2, PDQT, PDBT-co-TT, PDPPBTT, PTB7, PTB7-Th, CdS, CdSe, CH3NH3PbI3, 또는 CH3NH3PbCl3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 터치 센서 소자
9 9
제1 항에 있어서,상기 상부 전극 패턴 상에 배치된 보호필름을 더 포함하는 터치 센서 소자
10 10
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 하부전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 하부전극 패턴 상에 압전 물질을 포함하고, 오목부들 및 볼록부들이 교대로 반복되는 물결 구조를 갖는 압전층을 형성하는 단계; 상기 압전층 상에 광전 변환 물질을 포함하는 광전 변환 구조체를 형성하는 단계; 및상기 광전 변환 구조체 상에 상부전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 압전층을 형성하는 단계는,상기 하부전극 패턴 상에, 소스 용액을 코팅하는 단계; 및 코팅된 상기 소스 용액을, 점차적으로 온도를 증가시키는 방법을 이용하는 동적 어닐링(dynamic annealing)으로 열처리하는 단계를 포함하는 터치 센서 소자의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 하부전극 패턴 및 상기 상부전극 패턴이 교차되는, 상기 압전층 및 상기 광전 변환 구조체의 일 영역은, 줄 히팅(joule heating)되는 것을 포함하는 터치 센서 소자의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제11 항에 있어서,상기 광전 변환 구조체는, 상기 압전층 상에 용액공정으로 형성되되, 상기 광전 변환 구조체는, 상기 압전층을 덮고, 상기 광전 변환 구조체의 상부면은 평평(flat)한 것을 포함하는 터치 센서 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부(2013Y) (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 기초연구기반구축사업 / 대학중점연구소지원사업 자동차용 환경친화 복합소재 개발 및 제품화