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패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법(MANFACTURING METHOD OF PATTERNED FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODE)

  • 기술번호 : KST2018002055
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토리소그래피 및 레이저 조사에 의한 패터닝 공정보다 낮은 공정수와 공정단가로 금속 나노와이어가 매립된 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 플라즈마 또는 자외선-오존 처리에 의해 재료들 간의 접착력을 조절하는 방법으로 패턴 형성이 가능한 새로운 제조방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 종래 포토리소그래피를 사용하는 방법에 비하여 간단한 공정으로 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다.또한, 본 발명은 그라비아 오프셋, 그라비아 프린팅 및 잉크젯 프링팅 등의 방법으로 패턴을 형성하는 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 공정이 간단하며, 패턴의 선폭 조절이 용이한 장점이 있다.본 발명의 제조방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 금속 나노와이어가 고분자 수지 내에 매립되어 표면이 평활하므로 전자재료에 적용 시 단락이 발생할 가능이 적으며, OLED, 태양 전지 등에 적용이 가능하다.
Int. CL H01B 13/00 (2016.09.21) H01B 7/04 (2016.09.21) H01B 5/14 (2016.09.21) H01B 1/02 (2016.09.21) H01B 3/30 (2016.09.21)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020160103032 (2016.08.12)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0018087 (2018.02.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종복 대한민국 경상북도 구미시
2 구봉준 대한민국 경상남도 밀양시
3 고동욱 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0786345-15
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0794808-85
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0167580-46
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0453410-33
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0453399-17
6 등록결정서
Decision to grant
2018.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0329109-10
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0157544-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 요철(凹凸) 패턴이 형성되며, 실록산계 중합체로 이루어지는 스탬프의 철(凸)부 표면을 친수화 처리하는 단계;b) 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 금속 나노와이어 용액을 전면에 도포한 후, 상기 금속 나노와이어 용액이 건조되기 전에 상기 a)단계의 친수화 처리된 표면의 스탬프를 밀착시킨 상태에서 건조하여 친수화 처리된 철(凸)부가 밀착된 부분의 표면에 금속 나노와이어가 달라붙어 고정되도록 하는 단계;c) 상기 스탬프를 제거하여 상기 스탬프의 철(凸)부 표면에 고정된 금속나노와이어를 제거함으로써, 요(凹)부의 형태와 동일한 형태를 갖는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;d) 상기 패턴이 형성된 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 전면에 도포하고 경화하여 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및e) 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여, 상기 고분자 필름에 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층이 매립된 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 고분자 필름은 비상용성인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 상수 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 친수화 처리 전 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프 표면의 물에 대한 접촉각이 110 ~ 160°이고, 상기 친수화 처리 후 실록산계 중합체로 이루어진 스탬프 표면의 물에 대한 접촉각이 0 ~ 109°인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지, 적외선 경화형 고분자수지에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 고분자, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 실록산계 중합체는 폴리디메틸실록산인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2, Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 친수화 처리 시, 처리조건은 금속 나노와이어와 이형층 또는 소수성 고분자 기판 간의 접착력을 A1이라 하고, 금속 나노와이어와 스탬프의 철(凸)부 표면 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것인 플렉서블 투명전극의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
12 12
제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0
13 13
제 1항에 있어서,상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 금오공과대학교 산학협력단 이공학개인기초연구지원사업(기본연구) 메탈 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 다기능화
2 산업통상자원부 (주)코오롱 에너지기술개발사업 유연 유기태양전지 모듈 및 이를 적용한 off-grid 지능형 광고 미디어 제품 개발
3 과학기술정보통신부 금오공과대학교 산학협력단 대학ICT연구센터육성지원사업 글로컬 ICT융합 연구개발형 전문 인력 양성 사업