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기판 상에 도포된 블록 공중합체를 정렬시켜 패턴화하는 정렬 단계; 및 패턴화된 블록 공중합체 중 어느 하나의 단위체 블록을 선택적으로 제거하는 제거 단계;를 포함하며,상기 블록 공중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 제1블록, 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 가지는 제2블록을 포함하는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 블록 공중합체에 있어, X1 내지 X5는 서로 독립적으로, -H, -F, F가 하나 이상 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F가 하나 이상 치환된 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 F가 하나 이상 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이되, 모두 -H는 아니며, l, n 및 m는 블록 공중합체 내의 반복단위 A, B 및 C 각각의 몰분율로써, l은 0
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제 1항에 있어서,상기 블록 공중합체에 있어, X1 내지 X5는 서로 독립적으로, -H, -F, F가 하나 이상 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F가 하나 이상 치환된 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 F가 하나 이상 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이되, 반드시 X1 내지 X5 중 어느 하나 이상 내지 넷 이하는 -H기를 가지며, l, n 및 m는 블록 공중합체 내의 반복단위 A, B 및 C 각각의 몰분율로써, l은 0
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제 1항에 있어서,상기 제2블록은 하기 화학식 3을 만족하는 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 제1블록은 알킬메타크릴레이트계 화합물로부터 형성된 것인 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 블록 공중합체는 25℃에서의 χ값이 0
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제 1항에 있어서,상기 블록 공중합체는 하기 관계식 1을 만족하는 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 블록 공중합체는 하기 관계식 2를 만족하는 에칭 선택성을 가지는 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 블록 공중합체는 수직 배향된 라멜라 패턴을 형성하는 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 정렬 단계는 열적 어닐링, 용매 어닐링 또는 이들의 혼합 방법으로 수행되는 미세 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 제거 단계는 건식 에칭으로 수행되는 미세 패턴의 형성 방법
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