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아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 및 제조방법(The silicon carbide diodes and manufacturing methods, including the amine-based polymer)

  • 기술번호 : KST2018004021
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 주입하는 단계, 상기 기판 및 상기 도판트에 열처리를 하는 단계, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계 이후에, 전극이 배치되지 않은 영역에 아민계 폴리머 용액을 습식코팅하여 순방향 및 역방향 특성이 향상되는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 용액을 이용하여 원하는 패턴의 패시베이션층을 형성 가능하며, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 기판의 변형 및 순방향과 역방향 모두에서 특성저하가 방지된다. 또한, 패시베이션층 적용을 통해 외부 환경으로부터 소자를 보호 가능하며, 표면 누설전류 감소로 인해 순방향 특성이 향상되고 패시베이션층 전계완화 효과로 역방향 특성이 향상되어 다이오드 전체의 전기적 특성 향상 효과를 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 진공 장치가 필요하지 않으며, 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장된다.
Int. CL H01L 29/861 (2006.01.01) H01L 21/04 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01)
출원번호/일자 1020160128370 (2016.10.05)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0037770 (2018.04.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0964348-72
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0005150-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0143765-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0932596-44
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2020.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0201671-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0320064-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0320068-94
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0471928-98
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0955012-64
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0955027-48
12 등록결정서
Decision to grant		 2020.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0856899-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 주입하는 단계, 상기 기판 및 상기 도판트에 열처리를 하는 단계, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다이오드 제조방법에 있어서,상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계 이후에,전극이 배치되지 않은 영역에 아민계 폴리머 용액을 습식코팅하여 순방향 및 역방향 특성이 향상되는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 패시베이션층을 형성하는 단계는,상기 아민계 폴리머 용액 중 용매를 건조시켜 아민계 폴리머만 상기 기판의 상부에 형성되도록 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계는,100 내지 400℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 아민계 폴리머 용액은 아민계 폴리머와 용매를 혼합한 용액이며,상기 아민계 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 용매는 쌍극성 아프로틱 용매(dipolar aprotic solvent)인 N,Ndimethylacetamide(DMAc), N-methylpyrrolidione(NMP) 또는 dimethylformamide(DMF) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 아민계 폴리머 용액은 100 내지 2000cP의 점도로 이루어진 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법
7 7
기판-도판트-패시베이션층을 포함하는 실리콘 카바이드 다이오드에 있어서, 상기 패시베이션층은, 아민계 폴리머의 코팅을 통해 이루어지며, 순방향 및 역방향 특성이 향상되는 패시베이션층 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드
8 8
제 9항에 있어서,상기 아민계 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.