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에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법에 있어서,실리콘 카바이드 기판의 전면을 보호마스크를 통해 보호하는 단계와;상기 실리콘 카바이드 기판의 후면을 에칭 가스를 이용하여 가스 에칭하는 단계와;상기 보호마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 기판의 전면에는 에피층을 포함하는 전면부가 형성되며, 상기 보호마스크는 상기 전면부를 보호하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법
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제 1항에 있어서,상기 보호마스크는, 금속계로는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 유기물 또는 산화물 계열으로는 포토레지스트(photo resist), 실리콘다이옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(Si3N4), ITO(indium tin oxide) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법
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제 1항에 있어서,상기 에칭 가스는, 클로린트리플루오라이드(ClF3) 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법
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제 1항에 있어서,상기 가스 에칭하는 단계는,상기 실리콘 카바이드 기판의 두께 감소를 위해 상기 에칭 가스가 0
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제 1항에 있어서,상기 가스 에칭하는 단계는,상기 실리콘 카바이드 기판의 두께 감소를 위해 상기 에칭 가스가 100중량%로 이루어진 가스를 이용하여 상기 실리콘 카바이드 기판을 1차 에칭하는 단계와;상기 실리콘 카바이드 기판의 에칭된 표면이 균일해지도록 상기 에칭 가스가 0
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제 5 및 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 에칭하는 단계 이후에,수소 기체(H2 gas) 또는 수소/염화수소 혼합 기체(H2/HCl gas)를 통해 추가 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법
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제 1항에 있어서,상기 가스 에칭하는 단계는,400 내지 630℃에서 에칭이 이루어지는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 실리콘 카바이드 기판의 에칭방법
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