맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF SILICON-CARBIDE TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE)

  • 기술번호 : KST2018004655
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘카바이드(SiC) 기판 위에 에피택시얼층을 성장시키는 제1 단계와, 성장된 상기 에피택시얼층의 표면에 메사 구조로 배치되는 얼라인 키를 이용하여 상기 에피택시얼층을 건식 식각하는 제2 단계와, 상기 에피택시얼층의 바닥 영역에 수소 어닐링을 통해 반구형의 라운드 형태로 트렌치 구조를 형성하는 제3 단계와, 상기 에피택시얼층의 상부 영역의 표면에 기설정된 기준 에너지 장벽보다 더 낮은 에너지 장벽을 갖는 제1 금속을 증착시키는 제4 단계와, 상기 에피택시얼층의 전 영역의 표면에 상기 기준 에너지 장벽보다 더 높은 에너지 장벽을 갖는 제2 금속을 증착시키는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.이에 따라, 기존의 직각 형태의 트렌치 구조에서 코너부에 집중되는 전계를 완화함으로써 SiC 다이오드의 성능을 이상적인 조건에 근접시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01.01) H01L 29/47 (2006.01.01) H01L 29/43 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020160137793 (2016.10.21)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0044110 (2018.05.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 석오균 대한민국 경상남도 창원시 진해구
2 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
6 김형우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
8 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1026364-81
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1028062-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘카바이드(SiC) 기판 위에 에피택시얼층을 성장시키는 제1 단계;성장된 상기 에피택시얼층의 표면에 메사 구조로 배치되는 얼라인 키를 이용하여 상기 에피택시얼층을 건식 식각하는 제2 단계;상기 에피택시얼층의 바닥 영역에 수소 어닐링을 통해 반구형의 라운드 형태로 트렌치 구조를 형성하는 제3 단계;상기 에피택시얼층의 상부 영역의 표면에 기설정된 기준 에너지 장벽보다 더 낮은 에너지 장벽을 갖는 제1 금속을 증착시키는 제4 단계; 및상기 에피택시얼층의 전 영역의 표면에 상기 기준 에너지 장벽보다 더 높은 에너지 장벽을 갖는 제2 금속을 증착시키는 제5 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 단계에서,상기 건식 식각은, 1 mTorr 내지 30 mTorr 압력의 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 염소(Cl2)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 수소 어닐링은, 1300도 이상의 온도와 20 mTorr를 초과하거나 혹은 600 mTorr 미만의 압력 조건에서 1분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제4 단계에서,상기 제1 금속은, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제5 단계에서,상기 제2 금속은,백금(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 팔라듐(Pd), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.