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실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF SILICON-CARBIDE TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE)

  • 기술번호 : KST2018004656
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 하부에 드레인 전극이 배치된 실리콘 카바이드(SiC) 기판의 상부에 에피택시얼층을 성장시키는 제1 단계와, 성장된 상기 에피택시얼층의 상부면에 산화막(SiO2)을 증착한 후 상기 산화막과 접하는 상부면 일측에 불순물 이온을 주입하여 접합 영역을 형성하는 제2 단계와, 상기 산화막을 식각 마스크로 이용하여 상기 에피택시얼층의 FLR(Field Limiting Ring) 영역이 노출되도록 건식 식각하는 단계와, 상기 FLR 영역의 바닥면에 수소 어닐링을 통해 반구형의 라운드 형태로 트렌치 구조를 형성하는 제4 단계와, 상기 산화막을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 트렌치 구조 내부에 소정 농도의 이온을 주입하여 이온주입층을 형성하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.이에 따라, 기존의 직각 형태의 FLR 영역에서 코너부에 집중되는 전계를 감소시킴과 동시에 깊은 p+ 접합을 형성하여 높은 항복전압을 취할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 29/24 (2006.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01)
CPC H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020160137796 (2016.10.21)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0044113 (2018.05.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석오균 대한민국 경상남도 창원시 진해구
2 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
6 김형우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
8 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1026398-22
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1028087-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부에 드레인 전극이 배치된 실리콘 카바이드(SiC) 기판의 상부에 에피택시얼층을 성장시키는 제1 단계;성장된 상기 에피택시얼층의 상부면에 산화막(SiO2)을 증착한 후 상기 산화막과 접하는 상부면 일측에 불순물 이온을 주입하여 접합 영역을 형성하는 제2 단계;상기 산화막을 식각 마스크로 이용하여 상기 에피택시얼층의 FLR(Field Limiting Ring) 영역이 노출되도록 건식 식각하는 단계;상기 FLR 영역의 바닥면에 수소 어닐링을 통해 반구형의 라운드 형태로 트렌치 구조를 형성하는 제4 단계; 및상기 산화막을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 트렌치 구조 내부에 소정 농도의 이온을 주입하여 이온주입층을 형성하는 제5 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,제3 단계에서,상기 건식 식각은, 1 mTorr 내지 30 mTorr 압력의 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 염소(Cl2)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4 단계에서,상기 수소 어닐링은, 1300도 이상의 온도와 20 mTorr를 초과하거나 혹은 600 mTorr 미만의 압력 조건에서 1분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제5 단계에서,상기 이온은, 알루미늄(Al)과 붕소(B) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제5 단계에서,상기 이온의 농도는, 1E18 cm-3 내지 1E20 cm-3이고,상기 이온이 주입되는 깊이는, 0
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