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진공 용기;상기 진공 용기의 상부면에 배치된 유전체 상판;상기 유전체 상판 상에 배치되고 상기 진공 용기 내부에 유도 결합 플라즈마를 생성하는 유도 코일; 상기 유도 코일에 RF 전력을 공급하는 RF 전원;상기 진공 용기에 배치되어 나노 입자를 합성하는 도전성 기판; 및상기 도전성 기판과 상기 유전체 상판 사이에 배치되고 도전성 메쉬를 포함하는 그리드 구조물을 포함하고,상기 도전성 메쉬는 전기적으로 접지되고,상기 진공 용기에 나노입자를 합성하기 위한 반응 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 도전성 메쉬의 사이즈는 0
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제3 항에 있어서,상기 도전성 메쉬는 상기 유전체 상판을 향하여 볼록한 곡면 또는 오목한 곡면을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 도전성 메쉬는 상기 유전체 상판을 향하여 볼록한 원뿔각(conical shell) 형상 또는 오목한 원뿔각 형상을 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치
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제5 항에 있어서,상기 원뿔각의 지름에 대한 상기 원뿔각의 높이의 비는 1/20 내지 1/5 인 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 그리드 구조물은 상기 도전성 메쉬를 고정하는 가드링에 배치된 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치
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제7 항에 있어서,상기 가드링의 온도는 냉매에 의하여 섭씨 섭씨 3 도내지 섭씨 10도로 유지되는 것을 특징으로 나노 입자 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 도전성 기판에 DC 바이어스를 인가하는 바이어스 전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 진공 용기에 나노입자를 합성하기 위한 반응 가스를 제공하고,상기 반응가스는 사일렌 가스 (SiH4), H2 가스, 및 Ar 가스를 포함하고,상기 진공 용기의 압력은 수백 밀리토르이고,상기 RF 전력은 수백 와트 내지 수 킬로와트인 것을 특징으로 하는 입자 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 진공 용기에 나노입자를 합성하기 위한 반응 가스를 제공하고,상기 반응가스는 메탄 가스(CH4), H2, 및 Ar 가스를 포함하고,상기 진공 용기의 압력은 수백 밀리토르이고,상기 RF 전력은 수백 와트 내지 수 킬로와트인 것을 특징으로 하는 입자 제조 장치
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진공 용기의 상부면에 배치된 유전체 상판 상에 배치된 유도 코일에 RF 전력을 공급하여 상기 진공 용기 내부에 유도 결합 플라즈마를 형성하는 단계;도전성 메쉬를 포함하는 그리드 구조체를 상기 진공 용기의 내측면에 배치하고 상기 도전성 메쉬를 접지시키는 단계; 및상기 진공 용기에 반응 가스를 제공하여 상기 도전성 메쉬의 하부에 배치된 도전성 기판에 나노 입자를 합성하는 단계를 포함하는 평판형 유도 결합 플라즈마를 이용한 나노 입자 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 반응 가스는 SiH4, H2, 및 Ar를 포함하고,상기 진공 용기의 압력은 수백 밀리토르(mTorr)인 것을 특징으로 하는 평판형 유도 결합 플라즈마를 이용한 나노 입자 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 반응 가스는 메탄가스(CH4), H2, 및 Ar를 포함하고,상기 진공 용기의 압력은 수백 밀리토르(mTorr)인 것을 특징으로 하는 평판형 유도 결합 플라즈마를 이용한 나노 입자 제조 방법
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제12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 도전성 메쉬는 상기 유전체 상판을 향하여 볼록한 원뿔각(conical shell) 형상 또는 오목한 원뿔각 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 평판형 유도 결합 플라즈마를 이용한 나노 입자 제조 방법
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제12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 그리드 구조체 또는 상기 도전성 메쉬를 섭씨 3도 내지 10도로 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 유도 결합 플라즈마를 이용한 나노 입자 제조 방법
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제12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 도전성 기판에 직류 바이어스 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 유도 결합 플라즈마를 이용한 나노 입자 제조 방법
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