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양자점 바이오센서(Quantum dot BIOSENSOR)

  • 기술번호 : KST2018005530
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 바이오센서에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판과, 기판 상에 마련된 게이트 전극과, 게이트 전극 상에 마련된 절연층과, 절연층 상에 각각 마련된 소스 전극 및 드레인 전극과, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 마련된 n-type 채널, 및 n-type 채널 상에 마련되고, 타겟 바이오 물질의 진동 에너지와 공명이 일어날 수 있는 전자-전이 에너지를 갖도록 마련된 양자점층을 포함하는 바이오 센서가 제공된다.
Int. CL G01N 27/327 (2006.01.01) G01N 33/58 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170145154 (2017.11.02)
출원인 주식회사 엘지화학, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2173767-0000 (2020.10.28)
공개번호/일자 10-2018-0048418 (2018.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20201104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160144849   |   2016.11.02
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정광섭 서울특별시 성북구
2 신항범 대전광역시 유성구
3 정영도 대전광역시 유성구
4 윤빛나 서울특별시 성북구
5 최동선 서울특별시 성북구
6 정주연 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1087542-10
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0875947-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0041878-84
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0281101-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0281102-00
10 등록결정서
Decision to grant
2020.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0510746-34
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;기판 상에 마련된 게이트 전극;게이트 전극 상에 마련된 절연층;절연층 상에 각각 마련된 소스 전극 및 드레인 전극;소스 전극과 드레인 전극 사이에 마련된 n-type 채널; 및n-type 채널 상에 마련되고, 타겟 바이오 물질의 진동 에너지와 공명이 일어날 수 있는 전자 전이 에너지를 갖도록 마련된 양자점층을 포함하며,양자점은 콜로이달 양자점이고,타겟 바이오 물질로부터 양자점층으로 전달되는 전자-진동 에너지 전달에 따라 변화된 전류를 측정하되, 타겟 바이오 물질의 특정 작용기의 진동에 의해서 양자점의 띠내 전이 에너지가 흡수되어 전류의 변화가 일어나는 바이오센서
2 2
제 1 항에 있어서,양자점층에 마련되며, 타켓 바이오 물질을 포집하기 위한 포집부를 포함하는 바이오센서
3 3
제 2 항에 있어서,포집부는 하나 이상의 포집 분자를 포함하는 바이오센서
4 4
제 3 항에 있어서,포집 분자는 양자점의 곡면부에 고정된 바이오센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, Si, Ge, SiC 및 SiGe로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 바이오센서
6 6
제 1 항에 있어서,양자점은 리간드 치환된 양자점인 바이오센서
7 7
제 6 항에 있어서,양자점은 유기 리간드 및 무기 리간드 중 적어도 하나의 리간드로 치환된 양자점인 바이오센서
8 8
제 1 항에 있어서,상기 n-type 채널은 IGZO, ZnO, ZTO, IZO, IHZO, AlN, InN, GaN 및 InGaN으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 n-type 물질로 이루어진 바이오센서
9 9
제 1 항에 있어서,전자-진동 에너지 전달에 따른 양자점층의 전위가 변하게 되면, n-type 채널의 전도 채널(conduction channel)의 전류변화로 변환 및 증폭되는 바이오센서
10 10
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1 CN109906375 CN 중국 FAMILY
2 EP03537138 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP06737540 JP 일본 FAMILY
4 JP31536999 JP 일본 FAMILY
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6 WO2018084601 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109906375 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3537138 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP3537138 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2019536999 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP6737540 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2020072787 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 신진연구자지원-신진연구 콜로이드 양자점의 전도띠 내 및 원자가띠 내의 띠내전이를 통한 중 / 장파장 적외선 광원 생산 및 광전자적 응용