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레이저를 방출하는 광원부; 상기 레이저를 수용하여 하전 입자를 방출하는 타겟층; 및상기 광원부와 상기 타겟층 사이에 배치되어, 상기 레이저를 집속시키는 포커싱 구조체를 포함하되, 상기 포커싱 구조체는 상기 타겟층의 상면에 평행한 제1 방향을 따라 교대로 그리고 반복적으로 배치되는 솔리드 막들 및 공극부들을 포함하고, 상기 공극부들의 각각은 다공성 막을 포함하는 하전 입자 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 포커싱 구조체는 상기 레이저의 조사에 의해 플라즈마 층으로 변환되고,상기 플라즈마 층 내의 자유 전자들은 상기 플라즈마 층의 임계 전자 밀도(critical electron density)에 근접하는 값을 갖도록 분포되는 하전 입자 발생 장치
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제 2 항에 있어서,상기 임계 전자 밀도에 근접하는 값은 상기 임계 전자 밀도보다 작되 상기 임계 전자 밀도의 0
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제 1 항에 있어서,상기 공극부들의 각각은 공극들 및 상기 공극들을 둘러싸는 경계막을 포함하는 하전 입자 발생 장치
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제 4 항에 있어서,상기 공극부들의 각각의 내에서, 상기 경계막은 균일하게 분포된 하전 입자 발생 장치
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제 4 항에 있어서,상기 경계막은 메시 형태를 갖는 하전 입자 발생 장치
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제 6 항에 있어서,상기 포커싱 구조체는 호랑 나비의 날개로부터 추출된 하전 입자 발생 장치
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제 4 항에 있어서,상기 경계막은 상기 솔리드 막들의 각각의 일측벽 및 타측벽으로부터 각각 돌출된 제1 서브 경계막들 및 제2 서브 경계막들을 포함하되, 상기 제1 서브 경계막들은 상기 타겟층의 상기 상면에 수직한 제3 방향으로 배열되고, 상기 제2 서브 경계막들은 상기 제3 방향으로 배열되고, 상기 제2 서브 경계막들의 각각은 상기 제1 서브 경계막들 사이에 배치되는 하전 입자 발생 장치
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제 8 항에 있어서,상기 제1 및 제2 서브 경계막들은, 상기 타겟층의 상기 상면에 평행하고 상기 제1 방향에 교차하는, 제2 방향을 따라 연장되는 하전 입자 발생 장치
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제 8 항에 있어서,상기 포커싱 구조체는 모르포 나비(morpho butterfly)의 날개로부터 추출된 하전 입자 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광원부와 상기 포커싱 구조체 사이의 거리를 제어하는 제어부를 더 포함하되,상기 제어부는 상기 포커싱 구조체의 상면을 상기 레이저의 초점을 중심으로 레일리 거리 내에 배치시키는 하전 입자 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 포커싱 구조체와 상기 타겟층 사이에 개재된 매칭층을 더 포함하되,상기 매칭층의 굴절률은 상기 포커싱 구조체의 굴절률과 상기 타겟층의 굴절률의 사이 값을 갖는 하전 입자 발생 장치
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