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내부의 선정된 복수의 음각 패턴을 포함하는 음각 패턴 구조체; 및상기 복수의 음각 패턴에 대응되고, 각각 상이한 선택적 특성을 갖는 서로 다른 복수의 물질로 형성되는 양각 패턴을 포함하는 양각 패턴 구조체; 를 포함하고상기 음각 패턴 구조체에 상기 양각 패턴 구조체를 결합하여, 선택적으로 특성의 제어가 가능한 이종 결합 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 선택적 특성은,상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체를 구성하는 물질의 종류로 제어되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제3항에 있어서,상기 물질의 종류는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘 게르마늄(SiGe), 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨 아스나이드 (GaAs), 인듐 포스파이드(InP), 인듐 아스나이드(InAs), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 안티모나이드(GaSb), 인듐 안티모나이드(InSb), 알루미늄 포스파이드(AlP), 알루미늄 아스나이드(AlAs), 갈륨 나이트라이드(GaN), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 인듐 나이드라이드(InN), 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs), 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN), 셀렌화마그네슘(MgSe), 텔루르화아연(ZnTe), 셀렌화마그네슘카드뮴(CdSe) 및 셀렌화아연(ZnSe)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 선택적 특성은,상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체를 구성하는 물질의 도핑 타입으로 제어되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제5항에 있어서,상기 물질의 도핑 타입은,N 타입 또는 P 타입인 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 선택적 특성은,상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체를 구성하는 물질의 도핑 농도로 제어되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 선택적 특성은,상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체를 구성하는 결정 방향으로 제어되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제8항에 있어서,상기 물질의 결정 방향은,(001) 또는 (111)인 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 선택적 특성은,상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체의 도펀트 물질의 종류로 제어되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 선택적 특성은,상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체의 물질의 상태로 제어되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제11항에 있어서,상기 물질의 상태는,비정질(amorphous), 다결정(poly crystalline) 또는 결정질(crystalline)인 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제1항에 있어서,상기 복수의 음각 패턴과 상기 복수의 양각 패턴 사이에 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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제13항에 있어서,상기 접착층은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 금(Au), 은(Ag), 망간(Mn), 철(Fe), 구리(Cu), 크롬(Cr), 바나듐(V), 코발트(Co), 세륨(Ce), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 아연(Zn), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 지르코늄(Zr), 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs), 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN)과 같은 3-5족(III-V), 게르마늄(Ge), 실리콘게르마늄(SiGe), 폴리-실리콘(poly-Si), 하프늄 산화물(HfO), 지르코늄 산화물(ZrO2)과 같은 고유전(High-k) 물질 및 산화물(Oxide), 질화물(Nitride)과 같은 세라믹(Ceramic)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판
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내부에 선정된 복수의 음각 패턴을 포함하는 음각 패턴 구조체를 준비하는 단계;상기 복수의 음각 패턴에 대응되고 각각 상이한 선택적 특성을 갖는 서로 다른 복수의 물질로 형성되는 복수의 양각 패턴을 포함하는 양각 패턴 구조체를 준비하는 단계; 및상기 음각 패턴 구조체 및 상기 양각 패턴 구조체를 결합하여 선택적으로 특성의 제어가 가능한 이종 결합 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 결합하는 단계는,상기 복수의 음각 패턴 내에 상기 복수의 음각 패턴에 대응되는 상기 복수의 양각 패턴이 위치하도록 결합되는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 임베디드 기판의 제조 방법은,상기 음각 패턴 구조체에 결합된 상기 복수의 양각 패턴을 컷팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 임베디드 기판의 제조 방법은,상기 복수의 음각 패턴과 상기 복수의 양각 패턴 사이에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 임베디드 기판의 제조 방법은상기 음각 패턴 구조체 및 상기 복수의 양각 패턴의 표면을 평탄화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 기판 제조 방법
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