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트랜지스터를 포함하는 타깃 회로;상기 타깃 회로의 온도 및 상기 타깃 회로의 입력과 출력 사이의 지연 시간을 측정하는 모니터링 회로; 그리고상기 온도 및 상기 지연 시간에 따라, 상기 타깃 회로를 구동시키기 위한, 임계 전압 이하의 구동 전압을 조절하고 상기 트랜지스터의 문턱 전압을 조절하기 위한 백-바이어스 전압을 조절하고, 상기 구동 전압 및 상기 백-바이어스 전압을 상기 타깃 회로에 제공하는 전압 컨트롤러를 포함하되,상기 구동 전압이 상기 임계 전압 이하일 때, 상기 온도가 증가할수록 상기 지연 시간은 감소하고, 상기 구동 전압이 상기 임계 전압보다 클 때, 상기 온도가 증가할수록 상기 지연 시간은 증가하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 컨트롤러는 상기 조절된 구동 전압에 의해 감소하는 제 1 소비 전력량과 상기 조절된 백-바이어스 전압에 의해 증가하는 제 2 소비 전력량을 참조하여 상기 구동 전압과 상기 백-바이어스 전압 중 적어도 하나를 조절하는 반도체 장치
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제 2 항에 있어서,상기 컨트롤러는, 상기 제 1 소비 전력량이 상기 제 2 소비 전력량보다 큰 경우, 상기 문턱 전압의 레벨을 낮추기 위해 상기 백-바이어스 전압의 레벨을 조절하는 반도체 장치
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제 2 항에 있어서,상기 컨트롤러는, 상기 제 1 소비 전력량이 상기 제 2 소비 전력량보다 작은 경우, 상기 문턱 전압의 레벨을 높이기 위해 상기 백-바이어스 전압의 레벨을 조절하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 컨트롤러는 상기 온도, 상기 지연 시간, 상기 문턱 전압, 및 상기 구동 전압의 관계에 대한 테이블을 참조하여 상기 구동 전압과 상기 백-바이어스 전압 중 적어도 하나를 조절하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 모니터링 회로는:상기 타깃 회로의 상기 온도를 측정하는 온도 센서; 그리고상기 타깃 회로의 상기 입력과 상기 출력 사이의 상기 지연 시간을 측정하는 링 오실레이터를 포함하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 구동 전압은 1V 이하의 초저전압(Ultra-Low Voltage; ULV 인 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 트랜지스터는 MOSFET 트랜지스터, FinFET 트랜지스터, 및 듀얼 게이트 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 지연 시간은 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로의 입력 신호와 상기 트랜지스터로부터의 출력 신호 사이의 시간인 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 전압 컨트롤러는:상기 구동 전압을 조절하는 구동 전압 컨트롤러; 그리고상기 백-바이어스 전압을 조절하는 백-바이어스 컨트롤러를 포함하는 반도체 장치
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트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법에 있어서:상기 트랜지스터의 온도 및 상기 트랜지스터의 입력과 출력 사이의 지연 시간을 측정하는 단계;상기 온도 및 상기 지연 시간에 따라, 상기 트랜지스터를 구동시키기 위한 구동 전압을 조절하는 단계; 그리고상기 트랜지스터의 문턱 전압을 조절하기 위한 백-바이어스 전압을 조절하는 단계를 포함하되, 상기 구동 전압이 임계 전압 이하일 때, 상기 온도가 증가할수록 상기 지연 시간은 감소하고,상기 구동 전압이 상기 임계 전압보다 클 때, 상기 온도가 증가할수록 상기 지연 시간은 증가하는 반도체 장치의 동작 방법
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제 11 항에 있어서,상기 조절된 구동 전압에 의해 감소하는 제 1 소비 전력량을 계산하는 단계;상기 조절된 백-바이어스 전압에 의해 증가하는 제 2 소비 전력량을 계산하는 단계; 그리고상기 제 1 소비 전력량과 상기 제 2 소비 전력량을 비교하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 소비 전력량이 상기 제 2 소비 전력량보다 큰 경우, 상기 문턱 전압의 레벨을 낮추기 위해 상기 백-바이어스 전압의 레벨을 조절하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 소비 전력량이 상기 제 2 소비 전력량보다 작은 경우, 상기 문턱 전압의 레벨을 높이기 위해 상기 백-바이어스 전압의 레벨을 조절하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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제 11 항에 있어서,상기 구동 전압을 조절하는 단계와 상기 백-바이어스 전압을 조절하는 단계는 동시에 실행되거나, 또는 이시에 실행되는 반도체 장치의 동작 방법
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