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화소 및 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
- 기술번호 : KST2018008233
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 한 화소에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 의한 화소는 유기 발광 다이오드와; 제 1노드의 전압에 대응하여 제 1구동전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드를 경유하여 제 2구동전원으로 흐르는 전류량을 제어하기 위한 제 1트랜지스터와; 상기 제 1트랜지스터의 제 1전극과 상기 제 1노드 사이에 접속되며, 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와; 상기 제 1트랜지스터의 제 2전극과 기준전원 사이에 접속되며, 상기 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와; 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 데이터선 사이에 접속되며, 상기 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 4트랜지스터와; 상기 제 1노드와 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 구비한다. |
|---|---|
| Int. CL | G09G 3/3233 (2016.01.01) |
| CPC | G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020160168755 (2016.12.12) |
| 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2018-0067768 (2018.06.21) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 공개 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 40 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 채종철 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 2 | 권오경 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 3 | 금낙현 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 4 | 오경환 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 5 | 정보용 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 6 | 이안수 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 문용호 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종) |
| 2 | 오종한 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종) |
| 3 | 김두식 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종) |
| 4 | 이용우 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종) |
| 5 | 강신섭 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.12.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1216745-29 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
| 3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2019.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0453791-47 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 유기 발광 다이오드와;제 1노드의 전압에 대응하여 제 1구동전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드를 경유하여 제 2구동전원으로 흐르는 전류량을 제어하기 위한 제 1트랜지스터와;상기 제 1트랜지스터의 제 1전극과 상기 제 1노드 사이에 접속되며, 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와;상기 제 1트랜지스터의 제 2전극과 기준전원 사이에 접속되며, 상기 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와;상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 데이터선 사이에 접속되며, 상기 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 4트랜지스터와;상기 제 1노드와 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 제 1트랜지스터의 제 2전극과 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되며, 제 1발광 제어선으로 제 1발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 5트랜지스터와;상기 제 1구동전원과 상기 제 1트랜지스터의 제 1전극 사이에 접속되며, 제 2발광 제어선으로 제 2발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 6트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서,상기 제 2트랜지스터는 상기 제 5트랜지스터와 턴-온기간이 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 4 |
4 제 2항에 있어서,상기 제 2트랜지스터는 상기 제 6트랜지스터와 턴-온기간이 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 5 |
5 제 2항에 있어서,상기 제 1트랜지스터 내지 제 6트랜지스터는 N타입 트랜지스터로 설정되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 6 |
6 제 2항에 있어서,상기 제 1트랜지스터, 제 5트랜지스터 및 제 6트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,상기 제 1구동전원은 상기 기준전원보다 높은 전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서,상기 데이터선으로 공급되는 데이터신호는 상기 제 2구동전원보다 낮은 전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서,상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터 중 적어도 하나는 산화물 반도체 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서,상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터 중 적어도 하나는 복수의 트랜지스터가 직렬로 접속되어 구성되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서,상기 제 2트랜지스터, 상기 제 3트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터 중 적어도 하나는 두 개의 게이트전극을 가지는 더블 게이트 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서,상기 제 2트랜지스터의 제 1게이트전극 및 제 2게이트전극은 상기 주사선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 13 |
13 제 11항에 있어서,상기 제 2트랜지스터의 제 1게이트전극은 상기 주사선에 접속되고, 제 2게이트전극은 바이어스 전원에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서,상기 바이어스 전원의 전압은 상기 제 1게이트전극으로 공급되는 전압보다 낮은 전압 또는 높은 전압을 갖도록 소정기간마다 변경되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 15 |
15 제 11항에 있어서,상기 제 3트랜지스터의 제 1게이트전극 및 제 2게이트전극은 상기 주사선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 16 |
16 제 11항에 있어서,상기 제 3트랜지스터의 제 1게이트전극은 상기 주사선에 접속되고, 제 2게이트전극은 바이어스 전원에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 17 |
17 제 16항에 있어서,상기 바이어스 전원의 전압은 상기 제 1게이트전극으로 공급되는 전압보다 낮은 전압 또는 높은 전압을 갖도록 소정기간마다 변경되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 18 |
18 제 11항에 있어서,상기 제 4트랜지스터의 제 1게이트전극 및 제 2게이트전극은 상기 주사선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 19 |
19 제 11항에 있어서,상기 제 4트랜지스터의 제 1게이트전극은 상기 주사선에 접속되고, 제 2게이트전극은 바이어스 전원에 접속되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서,상기 바이어스 전원의 전압은 상기 제 1게이트전극으로 공급되는 전압보다 낮은 전압 또는 높은 전압을 갖도록 소정기간마다 변경되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 21 |
21 제 1항에 있어서,상기 제 1트랜지스터의 제 1전극과 상기 제 2트랜지스터의 사이 또는 상기 제 1노드와 상기 제 2트랜지스터의 사이에 접속되며, 게이트전극이 제어전원에 접속되는 제 7트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 22 |
22 제 21항에 있어서,상기 제 7트랜지스터는 산화물 반도체 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 |
| 23 |
23 제 21항에 있어서,상기 제어전원은 상기 화소가 제 1구동 주파수로 구동될 때 상기 제 7트랜지스터가 턴-온 상태를 유지하도록 전압이 설정되고,상기 화소가 상기 제 1구동 주파수보다 낮은 제 2구동 주파수로 구동될 때 상기 제 7트랜지스터가 턴-오프되도록 전압이 설정되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 24 |
24 제 23항에 있어서,상기 화소가 상기 제 2구동 주파수로 구동될 때 상기 제 7트랜지스터는 상기 스토리지 커패시터에 데이터신호의 전압이 저장된 후 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 25 |
25 제 1항에 있어서,상기 제 1트랜지스터의 제 2전극과 상기 제 3트랜지스터의 사이 또는 상기 제 3트랜지스터와 상기 기준전원 사이에 접속되며, 게이트전극이 제어전원에 접속되는 제 8트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 26 |
26 제 25항에 있어서,상기 제 8트랜지스터는 산화물 반도체 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 |
| 27 |
27 제 25항에 있어서,상기 제어전원은 상기 화소가 제 1구동 주파수로 구동될 때 상기 제 8트랜지스터가 턴-온 상태를 유지하도록 전압이 설정되고,상기 화소가 상기 제 1구동 주파수보다 낮은 제 2구동 주파수로 구동될 때 상기 제 8트랜지스터가 턴-오프되도록 전압이 설정되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 28 |
28 제 27항에 있어서,상기 화소가 상기 제 2구동 주파수로 구동될 때 상기 제 8트랜지스터는 상기 스토리지 커패시터에 데이터신호의 전압이 저장된 후 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 29 |
29 제 1항에 있어서,상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 상기 제 4트랜지스터의 사이 또는 상기 제 4트랜지스터와 상기 데이터선 사이에 접속되며, 게이트전극이 제어전원에 접속되는 제 9트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 30 |
30 제 29항에 있어서,상기 제 9트랜지스터는 산화물 반도체 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소 |
| 31 |
31 제 29항에 있어서,상기 제어전원은 상기 화소가 제 1구동 주파수로 구동될 때 상기 제 9트랜지스터가 턴-온 상태를 유지하도록 전압이 설정되고,상기 화소가 상기 제 1구동 주파수보다 낮은 제 2구동 주파수로 구동될 때 상기 제 9트랜지스터가 턴-오프되도록 전압이 설정되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 32 |
32 제 31항에 있어서,상기 화소가 상기 제 2구동 주파수로 구동될 때 상기 제 9트랜지스터는 상기 스토리지 커패시터에 데이터신호의 전압이 저장된 후 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 화소 |
| 33 |
33 주사선들, 데이터선들, 제 1발광 제어선들 및 제 2발광 제어선들과 접속되도록 위치되는 화소들과;상기 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부와;상기 제 1발광 제어선들로 제 1발광 제어신호를 공급하고, 상기 제 2발광 제어선들로 제 2발광 제어신호를 공급하기 위한 발광 구동부를 구비하며;상기 화소들 중 i번째 수평라인에 위치된 화소는유기 발광 다이오드와;제 1노드의 전압에 대응하여 제 1구동전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드를 경유하여 제 2구동전원으로 흐르는 전류량을 제어하기 위한 제 1트랜지스터와;상기 제 1트랜지스터의 제 1전극과 상기 제 1노드 사이에 접속되며, i번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와;상기 제 1트랜지스터의 제 2전극과 기준전원 사이에 접속되며, 상기 i번째 주사선으로 상기 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와;상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 데이터선 사이에 접속되며, 상기 i번째 주사선으로 상기 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 4트랜지스터와;상기 제 1노드와 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 34 |
34 제 33항에 있어서,상기 제 1트랜지스터의 제 2전극과 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되며, i번째 제 1발광 제어선으로 상기 제 1발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 5트랜지스터와;상기 제 1구동전원과 상기 제 1트랜지스터의 제 1전극 사이에 접속되며, i번째 제 2발광 제어선으로 상기 제 2발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 6트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 35 |
35 제 34항에 있어서,상기 발광 구동부는 상기 i번째 제 1발광 제어선으로 상기 제 1발광 제어신호를 공급한 후 상기 i번째 제 2발광 제어선으로 상기 제 2발광 제어신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 36 |
36 제 35항에 있어서,상기 i번째 제 2발광 제어선으로 공급되는 상기 제 2발광 제어신호는 상기 i번째 제 1발광 제어선으로 공급되는 상기 제 1발광 제어신호와 일부기간 중첩되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 37 |
37 제 34항에 있어서,상기 주사 구동부는 상기 i번째 제 1발광 제어선으로 공급되는 상기 제 1발광 제어신호와 완전히 중첩되며, 상기 i번째 제 2발광 제어선으로 공급되는 상기 제 2발광 제어신호와 일부기간 중첩되도록 상기 i번째 주사선으로 상기 주사신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 38 |
38 제 34항에 있어서,상기 제 1트랜지스터 내지 제 6트랜지스터는 N타입 트랜지스터로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 39 |
39 제 33항에 있어서,상기 제 1구동전원은 상기 기준전원보다 높은 전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 40 |
40 제 33항에 있어서,상기 데이터선들로 공급되는 데이터신호는 상기 제 2구동전원보다 낮은 전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN108231001 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | US10700146 | US | 미국 | FAMILY |
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DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN108231001 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US10700146 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2018166516 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.12.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1216745-29 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
| 3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2019.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0453791-47 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345258208 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 21A20131612767 |
| 연구과제명 | 융합 IT기반 미래가치 창조 인재양성 사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2016 |
| 연구기간 | 201603~201702 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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