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a) 소수성 고분자 수지가 도포되거나 소수성 고분자 수지로 이루어진 투명기판 위에, 마스크를 위치시키고 친수화 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리하는 단계;b) 상기 마스크를 제거하고, 금속 나노와이어 용액을 상기 소수성 고분자 수지가 도포되거나 소수성 고분자 수지로 이루어진 투명기판의 전면에 도포한 후 건조하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 전면에 도포하고 경화하여 친수화 처리되지 않은 부분의 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및d) 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제거하여, 상기 소수성 고분자 수지가 도포되거나 소수성 고분자 수지로 이루어진 투명기판의 친수화 처리된 부분에 나노와이어 전극 패턴이 형성된 투명전극을 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 소수성 고분자 수지와 상기 경화성 고분자 수지는 비상용성인 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 d)단계 후, e) 나노와이어 전극 패턴이 형성된 투명전극의 전면 또는 일부에 절연성을 갖는 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것인 투명전극의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 보호층은 금속 산화물 졸-겔 용액을 포함하는 보호층용 조성물을 도포 및 건조하여 형성하는 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 파라미터 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 친수화 처리 전 상기 소수성 고분자 수지가 도포되거나 소수성 고분자 수지로 이루어진 투명기판 표면의 물에 대한 접촉각이 65°이상이고, 상기 친수화 처리 후 상기 소수성 고분자 수지가 도포되거나 소수성 고분자 수지로 이루어진 투명기판 표면의 물에 대한 접촉각이 60°이하인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리(메타)아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지 및 적외선 경화형 고분자수지에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지가 도포된 투명기판에서, 상기 투명기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 마스크는 실록산계 중합체, 실리콘고무 또는 금속 재질로 이루어진 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 투명전극의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2 및 Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 투명전극의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 친수화 처리조건은 금속 나노와이어와 경화성 고분자 수지 간의 접착력을 A1이라 하고, 상기 소수성 고분자 수지가 도포되거나 소수성 고분자 수지로 이루어진 투명기판과 금속 나노와이어 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50㎛, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜 및 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0
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제 1항에 있어서,상기 마스크는 금속 마스크이고, 상기 투명기판과 상기 금속 마스크를 고정시키기 위한 고정부재를 더 포함하는 것인 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 d)단계에서, 나노와이어 전극 패턴의 금속 나노와이어는 끊어짐 없이 길이가 유지되는 것인 투명전극의 제조방법
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