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연마입자;수용성 폴리머를 포함하는 제1 텅스텐 연마 억제제;황-함유 아미노산을 포함하는 제2 텅스텐 연마 억제제; 및 과산화수소;를 포함하는, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 과산화수소는, 상기 텅스텐 연마용 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,상기 수용성 폴리머는, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리카르본산, 폴리(p-스티렌카르본산), 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리(아크릴아미드-co-아크릴산), 폴리(아크릴산-co-말레산), 폴리(메타크릴산-말레인산), 폴리아크릴아미드, 폴리(아크릴산-아크릴아미드), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-메타크릴산), 폴리(아크릴산-코-말레인산), 폴리(메틸(메타)아크릴레이트-co-부틸(메타)아크릴레이트), 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크롤레인, 그들의 유도체 및 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 수용성 폴리머의 중량평균분자량은 5,000 내지 500,000인 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 제1 텅스텐 연마 억제제는, 상기 텅스텐 연마용 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,상기 황-함유 아미노산은, 시스테인, 메티오닌, 시스틴, 티오시스테인, 타우린, 타우로콜산, N-아실메틸타우린, 젠콜산, 시스타티오닌, S-알릴시스테인, 란티오닌, 에티오닌, S-아데노실메티오닌, 글루타티온 및 N-아세틸시스테인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 제2 텅스텐 연마 억제제는, 상기 텅스텐 연마용 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,말산, 말레산, 포름산, 락트산, 아세트산, 피콜린산, 시트르산, 숙신산, 타르타르산, 글루타르산, 글리콜산, 프로피온산, 옥살산, 프탈산 및 그들의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기산; 및 질산, 황산, 염산, 인산, 설파민산, 과염소산, 크롬산, 아황산, 아질산, 붕소산, 플루오르화수소산 및 플루오르붕산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 무기산;으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 pH 조절제;를 더 포함하는, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,황산암모늄(ammonium sulfate), 인산암모늄(ammonium phosphate), 인산 수소 암모늄(ammonium hydrogen phosphate), 인산2수소 암모늄(ammonium dihydrogen phosphate), 수산화암모늄(ammonium hydroxide), 아세트산암모늄(ammonium acetate), 붕산암모늄(ammonium borate), 옥살산, 프탈산암모늄(ammonium oxalate), 구연산2암모늄(dibasic ammonium citrate), 구연산3암모늄(tribasic ammonium citrate), 카르밤산 암모늄(ammonium carbamate), 2염기성 시트르산 암모늄(dibasic ammonium citrate) 및 3염기성 시트르산 암모늄(tribasic ammonium citrate)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 pH 완충제;를 더 포함하는, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마입자는,금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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11
제1항에 있어서,상기 연마입자의 크기는, 10 nm 내지 200 nm인 단일 사이즈 입자 또는 2종 이상의 혼합 입자인 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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12
제1항에 있어서,상기 텅스텐 연마용 슬러리 조성물의 pH는, 1 내지 5의 범위를 가지는 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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13
제1항에 있어서,절연막질에 대한 연마속도는 300 Å/min 내지 700 Å/min이고, 텅스텐막질에 대한 연마속도는 200 Å/min 내지 600 Å/min이고, 텅스텐막질의 연마속도에 대한 절연막질의 연마속도의 비는 0
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제1항에 있어서,상기 텅스텐 연마용 슬러리 조성물을 이용한 텅스텐 함유 웨이퍼의 연마 후, 패턴밀도가 10%일 때 텅스텐 침식 깊이는 180 Å 이하이고, 패턴밀도가 30%일 때 텅스텐 침식 깊이는 300 Å 이하이고, 패턴밀도가 50%일 때 텅스텐 침식 깊이는 320 Å 이하이고, 패턴밀도가 70%일 때 텅스텐 침식 깊이는 60 Å 이하인 것인, 텅스텐 연마용 슬러리 조성물
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