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3차원 뉴로모픽 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018010581
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 뉴로모픽 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 3차원 뉴로모픽 소자는 제1 뉴런 소자 및 시냅스 소자를 구비하는 제1 기판; 및 제2 뉴런 소자를 구비하며 상기 제1 기판 상에 형성된 제2 기판을 포함하고, 상기 제2 기판은 상기 제2 뉴런 소자의 채널층이 형성된 상태에서 상기 제1 기판에 결합되며, 상기 시냅스 소자는 인가전압에 따라 멀티레벨(multi-level)의 전류가 출력된다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180007051 (2018.01.19)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2143440-0000 (2020.08.05)
공개번호/일자 10-2018-0086152 (2018.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20200811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170009846   |   2017.01.20
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창환 대한민국 서울특별시 성동구
2 한훈희 대한민국 경기도 안성시 서당길 *
3 손석기 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0066356-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0626942-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-1110611-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1110616-00
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0209260-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0414410-33
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0414411-89
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0347996-51
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번호 청구항
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제1 뉴런 소자 및 시냅스 소자를 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계; 제2 뉴런 소자의 소스, 드레인 및 채널층을 포함하는 제2 기판을 형성하는 단계; 상기 제1 기판 상에 상기 제2 기판을 결합시키는 단계; 및 상기 채널층 상에 상기 제2 뉴런 소자의 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 뉴로모픽 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 기판을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 상기 제1 뉴런 소자를 형성하는 단계; 상기 제1 뉴런 소자 상에 상기 제1 뉴런 소자와 상기 시냅스 소자를 연결하는 제1 관통 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 관통 전극 상에 상기 시냅스 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 기판을 형성하는 단계는 상기 시냅스 소자를 형성한 후, 상기 시냅스 소자 상에 상기 시냅스 소자와 상기 제2 뉴런 소자를 연결하는 제2 관통 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 기판을 형성하는 단계는 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 상기 제2 뉴런 소자의 소스, 드레인 및 채널층을 형성하는 단계; 상기 소스, 드레인 및 상기 채널층 상에 캐리어 기판을 형성하는 단계; 및 상기 지지 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 지지 기판을 제거하는 단계는 상기 지지 기판을 그라인딩하는 단계; 및 상기 그라인딩된 지지 기판을 습식 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 기판 상에 상기 제2 기판을 결합시킨 후, 상기 캐리어 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 나노소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 시냅스/뉴론 소자간 3차원 적층 공정 기술 및 시스템 구현