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다공성의 베이스 기판을 준비하는 단계;상기 다공성의 베이스 기판 상에 그래핀이 베이스 용매에 분산된 소스 용액을 제공하는 단계;건조 공정을 통해, 상기 소스 용액에 포함된 상기 베이스 용매가 제거되는 동시에, 상기 다공성의 베이스 기판 표면 상의 다공 구조(pore structure) 내에 상기 다공 구조의 크기(size)보다 작은 크기(size)의 그래핀이 제공되어, 그래핀이 담지된 베이스 기판을 제조하는 단계; 및상기 그래핀이 담지된 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 베이스 용매는, 물 또는 유기용매를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 소스 용액을 제공하는 단계는,상기 다공성의 베이스 기판 상에 상기 소스 용액이 적하(dropping)되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 소스 용액의 농도는, 0mg/mL 초과 및 10mg/mL 미만인 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 다공성의 베이스 기판은,베이스 기판 상에 금속 박막을 증착하는 단계;열처리 공정을 통해, 상기 베이스 기판 상에 상기 금속을 포함하는 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 나노입자를 이용하여 상기 베이스 기판을 식각하는 단계를 통해 제조되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은,상기 그래핀이 담지된 베이스 기판의 상부면 상에 서로 이격되어 형성되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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다공성의 베이스 기판;상기 다공성의 베이스 기판 표면 상의 다공 구조 내에 담지되어, 상기 다공 구조의 크기(size)보다 작은 크기(size)로 상기 다공 구조 표면에 제공된 그래핀; 및상기 다공성의 베이스 기판 상에 배치된 제1 및 제2 전극을 포함하는 가스 센서
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제8 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은, 상기 그래핀이 담지된 상기 다공성의 베이스 기판의 상부면 상에 서로 이격되어 배치되는 것을 포함하는 가스 센서
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제8 항에 있어서,상기 그래핀이 담지된 베이스 기판에 타겟 가스가 흡착되는 단계;그래핀 및 상기 타겟 가스의 반응에 의해 상기 다공성의 베이스 기판의 전기전도도 값이 변화하는 단계; 및상기 제1 및 제2 전극을 통해 상기 전기전도도 변화값을 측정하여, 상기 타겟 가스의 종류 및 농도를 도출하는 단계를 포함하는 가스 센서
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제8 항에 있어서,상기 그래핀이 담지된 베이스 기판의 전류 및 전압 곡선(IV 곡선)은, 상온 환경에서 쇼트키 접합(Schottky junction)을 형성하는 것을 포함하는 가스 센서
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제8 항에 있어서,상기 다공 구조는, 상기 다공성의 베이스 기판 표면의 상부면에서 하부면을 향하여 연장하는 홀(hole) 형태인 것을 포함하는 가스 센서
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