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음대전성을 나타내는 그래핀 시트층 및 양대전성을 나타내는 무기 나노 입자층이 교번적으로 적층되어 있고,상기 그래핀 시트층과 상기 무기 나노 입자층은 정전기적 인력에 의해 결합되어 있으며,수평 방향으로 배향된 상기 그래핀 시트층에 의해 수평 방향으로 높은 열전도도 특성을 나타내고, 상기 무기 나노 입자의 높은 비열 특성에 의해 축열 성능을 나타내는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름
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제 1 항에 있어서,상기 무기 나노 입자층은 무기 나노 입자들이 평면 상에서 높은 균일도와 평탄도로 배열된 단일층 또는 다중층인,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트층 및 무기 나노 입자층이 복수층으로 적층되어 있는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름
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제 1 항에 있어서,상기 무기 나노 입자의 크기는 200nm 이하인,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름
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제 1 항에 있어서,상기 무기 나노 입자는, WO3, SiO2, SnO2, ZrO2, ITO, TiO2, Al2O3, Ti2O 중 어느 하나가 이용되는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름
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1) 기판을 준비하고 상기 준비된 기판을 음대전시키는 단계;2) 상기 기판을 무기 나노 입자가 포함된 수용액에 담궈 무기 나노 입자층을 형성하는 단계;3) 상기 기판을 세척 용액으로 세척하는 단계;4) 상기 기판을 산화 그래핀 시트가 포함된 수용액에 담궈 그래핀 시트층을 형성하는 단계;5) 상기 기판을 세척 용액으로 세척하는 단계;6) 상기 기판 상에 적층된 무기 나노 입자층 및 그래핀 시트층으로부터 기판을 분리시키는 단계; 및7) 상기 산화 그래핀을 환원시키는 단계를 포함하고,상기 그래핀 시트층은 음대전성을 나타내고, 상기 무기 나노 입자층을 양대전성을 나타내며,상기 그래핀 시트층과 상기 무기 나노 입자층은 정전기적 인력에 의해 결합되어 있으며,수평 방향으로 배향된 상기 그래핀 시트층에 의해 수평 방향으로 높은 열전도도 특성을 나타내고, 상기 무기 나노 입자의 높은 비열 특성에 의해 축열 성능을 나타내는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 무기 나노 입자층은 무기 나노 입자들이 평면 상에서 높은 균일도와 평탄도로 배열된 단일층 또는 다중층인,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,2) 내지 5) 단계를 복수 회 반복하여 무기 나노 입자층 및 그래핀 시트층이 복수층으로 적층되도록 하는 단계를 추가로 포함하는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 무기 나노 입자의 크기는 200nm 이하인,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 무기 나노 입자는, WO3, SiO2, SnO2, ZrO2, ITO, TiO2, Al2O3, Ti2O 중 어느 하나가 이용되는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 무기 나노 입자층은 무기 나노 입자들이 평면 상에서 단일층으로 배열된 단일층인,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 무기 나노 입자가 포함된 수용액의 pH를 상기 무기 나노 입자의 등전점(isoelectric point) 이상으로 조절하여 상기 무기 나노 입자가 양대전성을 나타내도록 하는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 그래핀 시트가 포함된 수용액 및 상기 세척액의 pH도 상기 무기 나노 입자의 등전점 이상으로 조절하는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 기판 상에 적층된 무기 나노 입자층 및 그래핀 시트층으로부터 기판을 분리시키는 단계는, 산 용액을 이용하여 분리시키고 이후 건조시키는 단계를 포함하는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 산화 그래핀을 환원시키는 단계는, 불활성 기체와 수소 기체를 이용하여 600 내지 1000℃의 온도에서 환원시키는,그래핀 및 무기 나노 입자의 층상 구조를 이용한 방열 필름의 제조 방법
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